抗磨贝氏体球铁的裂纹形核与扩展

采用压痕法及扫描电镜观察,研究了抗磨贝氏体球铁中裂纹的形核与扩展。实验结果表明,裂纹主要在石墨─基体界面形成,其次在碳化物─基体界面形核。裂纹在石墨─基体界面和碳化物─基体界面的形成机制不同,裂纹优先沿界面扩展。并从热力学的角度对其进行了分析。     

微乳模板控制合成磷酸钙盐材料

可以调控和诱导矿化的CTAB／正己醇／十六烷／水和TX100／正己醇／环己烷／水的两个拟三元微乳液体系作为磷酸钙盐矿化的“模板”．利用SEM、TEM、XRD和FT—IR等手段研究了产物的微观结构和组成．结果表明：不同的微乳及微乳中不同的相可以调控产物的形状、结构和大小，而且即使在相同的微乳体系中，由于成核作用的不同也可以导致最终产物的结构的不同．     

双酚A型聚碳酸酯结晶行为研究进展

双酚A型聚碳酸酯(PC)是一种具有优良综合性能的工程塑料,对其结晶行为的研究,有助于材料的广泛应用及深入理解高分子结晶的本质。综述了近年来PC结晶行为研究的最新工作和理论进展,包括本体、溶剂及蒸汽诱导、加入成核剂、超临界二氧化碳作用下以及与其他聚合物共混PC的结晶行为研究。     

X80管线钢微孔洞形核

利用扫描电镜和透射电镜等手段,观察了X80管线钢中的夹杂物和MA岛,获得了它们的尺寸统计特征.应用不同颈缩程度的拉伸试验,探明了X80管线钢中微孔洞萌生的机理：第一阶段微孔洞的形核是围绕钙处理夹杂物,在颈缩初期已经开始;第二阶段属高应变量阶段,此时孔洞是通过MA岛/基体界面脱离形核.通过有限元法分析了拉伸过程,确定了试样的真实应力--应变曲线,计算了钙处理夹杂物/基体界面强度和MA岛/基体界面强度.     

烷氧基钛水解制备TiO_2超细粒子 Ⅱ.水解反应动力学及粒子形成

测定了烷氧基钛水解成核的诱导时间,研究了水解反应形成TiO_2超细粒子的机理,及溶剂和反应底物对水解反应机理的影响规律。导出了丁氧基钛在醇溶剂中的水解反应速率方程与对应的水解和聚结反应历程该机理同实验结果相吻合。     

谷氨酸阴离子和晶种对晶体成核与生长的影响

研究了谷氨酸阴离子（Ｇ－）和晶种对其晶体二次成核与生长的影响．结果表明成核速率随晶种粒度和晶种量减少而减少；在高过饱和度时Ｇ－对成核有促进作用，而在低过饱和度时则有抑制作用；晶体生长速率随粒度减小而增大；Ｇ－对晶体生长有抑制作用；结晶时使用粒度小的晶种可得到粒度分布较均匀的晶体．     

强烈机械搅拌对Al－Cu10％合金结晶方式的影响

分析了强烈机械搅拌作用对Ａｌ－Ｃｕ１０％合金结晶组织的影响。指出强烈机械搅拌作用下形成的粗大玫瑰状组织和无分枝的颗粒状晶体是由于强烈机械搅拌作用导致液固界面前方形成很薄的溶质原子富集层，使得晶体平面生长，并在生长过程中分枝以粘合方式粗化的结果。     

单晶硅衬底上金刚石成核密度的研究

本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜时其成核密度与制备条件的关系。结果表明,衬底表面状态、衬底温度、灯丝温度、灯丝与衬底表面间距离等对金刚石成核密度有明显的影响,且表面状态的影响最大。     

7475高强铝合金超塑变形空洞形核研究

利用高压电镜和金相显微镜对7475高强铝合金超塑变形中的空洞形核问题进行了研究。结果表明空洞主要形成在超塑变形过程中,而不是形核于形变热处理中。空洞形核的主要原因是晶界滑移在晶界不平整处受阻,产生应力集中。     

用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜

本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（７５０—８２０℃），ＰＥＴＥＯＳ氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面；随Ｔｓ升高（＞８２０℃），氧化硅区域成核密度增加很快；当Ｔｓ＞８５０℃时，氧化硅区域成核密度超过硅表面。