He原子基态能量与波函数的变分计算

在He原子模型研究的基础上,采用了一种包含坐标张弛系数的试探波函数,对He原子的基态能量和解析波函数进行了变分计算,得到了比较理想的结果,其中在波函数取N=11时,氦原子基态能量与实验值相比,误差仅为0.014‰.     

GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子态

在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定;随着杂质从量子点的上界面沿着z轴移至下界面,激子基态能和光跃迁能增大,结合能减小.     

Cell evolutionary algorithm: a new optimization method on ground-state energy of the atomic

The purpose of this paper is to present a new general approach to solve ground-state energies of the double-electron systems in a uniform magnetic field, in which the basic element of evolution is the set in the solution space, rather than the point. The paper defines the Cell Evolutionary Algorithm, which implements such a view of the evolution mechanism. First, the optimal set in which the optimal solution may be obtained. Then this approach applies the embedded search method to get the optimal solution. We tested this approach on the atomic structure, and the results show that it can improve not only the efficiency but also the accuracy of the calculations as it relates to this specific problem. Foundation item: Supported by the opening Foundation of state key Laboratory of Magnetic Resonance and Atomic and Molecular physics, Wuhan Institute of physics, Chinese Academy of Science (981510) Biography: Liu Lian-jun(1946-), female, Associate professor, research direction: atom and molecular physics.     

外场对量子阱中极化子基态能的影响

研究了外场对量子阱中极化子基态能的影响,通过计算得出了在外场作用下量子阱中极化子的振动频率和基态能量E,并分别讨论了极化子在强磁场和弱磁场作用下基态能量与阱宽、电场强度和回旋频率之间的关系。     

自旋对量子线中弱耦合磁极化子性质的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了量子线中弱耦合磁极化子的性质。得到了考虑自旋影响时量子线中弱耦合磁极化子的基态能量,并进行了数值计算。结果表明：考虑自旋影响时,量子线中磁极化子的基态能量分裂成两个分支。磁极化子基态能量随量子线束缚强度的增大而增大,随耦合强度的增大而减小。自旋对磁极化子基态能量的影响不能忽略。     

BEC中非线性薛定谔方程的数值研究

通过数值求解非线性薛定谔方程，来分析温度在绝对零度时束缚在谐振子势阱中弱相互作用玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)的特性．在一维的情况下，利用定态薛定谔方程，得到了一维谐振势下的基态波函数，同时求得单粒子的基态能量，进一步，利用含时薛定谔方程，研究了宏观波函数随时间的演化，特别是当势阱随时间变化或受扰动的情况．研究表明，一维情况下，不论正散射长度还是负散射长度的原子都可以形成BEC，且非线性相互作用在一定范围内时负散射长度原子的解具有孤立子的性质。     

反铁磁性物质FeCO_3基态~5D的精细分裂

在弱场图象下，利用Ｒａｃａｈ不可约张量算符法得到了三角对称ｄ４，５电子组态的完全能量矩阵．在ＶＡＸ－Ⅱ计算机上采用完全对角化方法，首次成功地解释了ＦｅＣＯ３基态５Ｄ的精细分裂谱．     

量子点中双极化子稳定性的研究

基于Lee-Low-Pines-Huybrechts变分理论推导出计算量子点中双极化子的基态能表达式.该理论方法适应于整个电子-声子耦合区域.通过数值计算和理论分析,讨论了量子点中双极化子的存在条件与约束势的关系,发现量子点约束势的加强不利于双极化子的稳定.     

~(168)Lu高自旋带退激的观测

通过束流能量为94MeV的熔合蒸发反应154Sm(19F,5n)168Lu布居了双奇核168Lu的高自旋态,发现一条新转动带,将其指定为建立在π7/2+[404]υ5/2-[523]基态上的转动带,并发现了π7/2+[404]υ5/2+[642]和π9/2-[514]υ5/2+[642]转动带同低激发态间的连接关系,确定了转动带的自旋.     

类氢杂质对In_xGa_（1-x）N/GaN和GaN/Al_xGa_（1-x）N量子点中束缚激子态的影响

在考虑内建电场效应和量子点（QD）的三维约束效应的情况下,运用变分方法研究了类氢施主杂质的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子态的影响.结果表明：当类氢施主杂质位于量子点中心,InxGa1-xN/GaN量子点的高度和In含量大于临界值时,约束在QD中激子的基态能降低,激子态的稳定性增强,在较高的温度下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰,发光波长增大.而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子的基态能降低,杂质可能使在更高温度下观察到GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子,发光波长增大.研究发现类氢施主杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子基态能增加,激子的解离温度下降,发光波长减小.