制备介孔复合环境材料的酸洗刻蚀工艺

探索了一种制备介孔复合环境材料的方法--破坏式造孔与有机复合相结合,使最终产品可大量吸附污染水体中的各种污染物并具有一定的杀菌功能.该方法通过酸洗刻蚀,达到了去除原材料中的杂质和刻蚀孔径的目的,所制备的中间产品24h吸湿率为原材料的2倍,染料吸附量为原材料的1.6倍.     

半导体单晶硅的离子束蚀刻实验研究

离子束蚀刻是一种有超精细加工能力的微细加工技术,广泛应用于微电子、光子技术、表面科学等领域。硅及其化合物常用来制作大规模集成电路,在其表面蚀刻出具有一定几何布图尺寸的沟槽。其深度、宽度、边壁倾角及槽底形状等直接影响器件的性能。     

微机械加工中恒温腐蚀系统的设计研究

本文设计了一个恒温腐蚀系统，用于微机械加工制作中的腐蚀工艺．系统装备了冷凝回流与加热搅拌装置，保证了腐蚀过程中，腐蚀液浓度的稳定与均匀；特殊设计的加热设备，提高了热量的利用效率．同时，采用内藏式温度传感器和基于模糊专家系统的温度控制算法，使腐蚀系统的温度控制更加精确、灵活．与传统水浴恒温相比，不仅使用方便，而且提高了腐蚀的效率与质量．     

Si基片各向异性腐蚀特性研究

为了制备高性能铁电薄膜红外探测器 ,对Si微桥的湿化学腐蚀工艺进行了研究 .利用Si基片各向异性腐蚀特性 ,在四甲基氢氧化铵 (简称TMAH )水溶液中加入氢氧化钾 (KOH)作为各向异性腐蚀液 (简称KTMAH) ,研究了TMAH与KOH摩尔比、腐蚀浓度、腐蚀温度对Si基片腐蚀特性的影响 .结果表明 :Si(1 0 0 )面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和温度的升高而增大 ,随着TMAH与KOH摩尔比的降低 ,KTMAH腐蚀液对掩膜层的腐蚀程度加剧 .选用 5 g/L的过硫酸盐 (PDS)与TMAH质量分数为 2 5 %、TMAH与KOH摩尔比为2的KTMAH混合液作为腐蚀液 ,并在 80℃× 2 .5h的腐蚀条件下能得到平整的腐蚀面 ,可以制备质量较好的微桥结构     

含铜蚀刻废液的综合利用—硫酸铜生产工艺研究

采用酸性蚀刻液与碱性蚀刻液混合沉淀铜的方法，生产工业硫酸铜，不用蒸发浓缩，工艺简单，成本低．对影响产品质量和产率的主要因素ｐＨ，化浆用水量和浓硫酸用量进行了探讨，找到了最佳工艺条件，产品质量符合ＧＢ４３７－８０．     

圆柱形反应器鞘区离子平均动能的径向分布

针对鞘层结构,建立了鞘层模型和离子速度分布函数,导出了离子平均动能的积分表达式并得出数值积分的结果.用级数的两项拟合平均动能积分表达式的对数项,积分得到解析结果和简化结果.应用积分表达式、解析式及简化式进行计算,得出了圆柱形鞘层内不同位置(半径)处的粒子平均动能.结果表明鞘层越厚、粒子平均自由路程越小,则它们的差别越小.它们可有效地应用于散布在反应室各处粉体的刻蚀和纯化.     

蚀刻型高密度引线框架铜合金带材的研制进展

综述了蚀刻加工的工艺特点以及用于蚀刻型铜合金带材的特殊技术要求,分析了国内蚀刻型高密度引线框架铜带的研制进展及存在的问题。蚀刻型引线框架带材的产品质量与国外还存在一定差距,全蚀刻产品已实现国产化,产品质量有待提高;半蚀刻产品还处于研制阶段;板形控制、残余应力消减及均匀分布等核心技术有待突破;残余应力检测方法及检验标准有待建立。     

A_r~+激光诱导氯气刻蚀硅

本文通过被局域刻蚀硅表面形貌的精确测量,考察了刻蚀速率对于激光功率、波长、反应室气压的依赖关系,讨论了在不同光斑尺寸和刻蚀深度下反应机理的变化,给出了衬底晶向和表面氧化层对刻蚀效果影响的一些新的结果。