制备介孔复合环境材料的酸洗刻蚀工艺

探索了一种制备介孔复合环境材料的方法--破坏式造孔与有机复合相结合,使最终产品可大量吸附污染水体中的各种污染物并具有一定的杀菌功能.该方法通过酸洗刻蚀,达到了去除原材料中的杂质和刻蚀孔径的目的,所制备的中间产品24h吸湿率为原材料的2倍,染料吸附量为原材料的1.6倍.     

半导体单晶硅的离子束蚀刻实验研究

离子束蚀刻是一种有超精细加工能力的微细加工技术,广泛应用于微电子、光子技术、表面科学等领域。硅及其化合物常用来制作大规模集成电路,在其表面蚀刻出具有一定几何布图尺寸的沟槽。其深度、宽度、边壁倾角及槽底形状等直接影响器件的性能。     

微机械加工中恒温腐蚀系统的设计研究

本文设计了一个恒温腐蚀系统，用于微机械加工制作中的腐蚀工艺．系统装备了冷凝回流与加热搅拌装置，保证了腐蚀过程中，腐蚀液浓度的稳定与均匀；特殊设计的加热设备，提高了热量的利用效率．同时，采用内藏式温度传感器和基于模糊专家系统的温度控制算法，使腐蚀系统的温度控制更加精确、灵活．与传统水浴恒温相比，不仅使用方便，而且提高了腐蚀的效率与质量．     

含铜蚀刻废液的综合利用—硫酸铜生产工艺研究

采用酸性蚀刻液与碱性蚀刻液混合沉淀铜的方法，生产工业硫酸铜，不用蒸发浓缩，工艺简单，成本低．对影响产品质量和产率的主要因素ｐＨ，化浆用水量和浓硫酸用量进行了探讨，找到了最佳工艺条件，产品质量符合ＧＢ４３７－８０．     

UFPA器件微桥腐蚀工艺的研究

利用硅单晶的各向异性腐蚀技术,研究了UFPA探测器的微桥腐蚀工艺.采用独特的腐蚀装置在厚度为300 μm的硅基片上成功地制备了腐蚀坑深度为260 μm,桥面宽度为2 mm的微桥结构.该装置能有效保护硅基片正面免受腐蚀液的漏蚀,从而可实施热释电薄膜的沉积先于微桥制备的技术线路,对提高器件的成品率具有重要的意义.     

蚀刻型高密度引线框架铜合金带材的研制进展

综述了蚀刻加工的工艺特点以及用于蚀刻型铜合金带材的特殊技术要求,分析了国内蚀刻型高密度引线框架铜带的研制进展及存在的问题。蚀刻型引线框架带材的产品质量与国外还存在一定差距,全蚀刻产品已实现国产化,产品质量有待提高;半蚀刻产品还处于研制阶段;板形控制、残余应力消减及均匀分布等核心技术有待突破;残余应力检测方法及检验标准有待建立。     

Si基片各向异性腐蚀特性研究

为了制备高性能铁电薄膜红外探测器 ,对Si微桥的湿化学腐蚀工艺进行了研究 .利用Si基片各向异性腐蚀特性 ,在四甲基氢氧化铵 (简称TMAH )水溶液中加入氢氧化钾 (KOH)作为各向异性腐蚀液 (简称KTMAH) ,研究了TMAH与KOH摩尔比、腐蚀浓度、腐蚀温度对Si基片腐蚀特性的影响 .结果表明 :Si(1 0 0 )面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和温度的升高而增大 ,随着TMAH与KOH摩尔比的降低 ,KTMAH腐蚀液对掩膜层的腐蚀程度加剧 .选用 5 g/L的过硫酸盐 (PDS)与TMAH质量分数为 2 5 %、TMAH与KOH摩尔比为2的KTMAH混合液作为腐蚀液 ,并在 80℃× 2 .5h的腐蚀条件下能得到平整的腐蚀面 ,可以制备质量较好的微桥结构     

浸泡法快速制备超疏水黄铜表面

采用化学蚀刻和溶液浸泡相结合的方法制备具有超疏水性的黄铜表面.按比例配置HCl、HNO3和HF的混合溶液蚀刻黄铜,蚀刻后用硬脂酸溶液进行修饰以获得接触角大于150°的表面.通过扫描电镜对表面结构的观察以及能谱分析,发现蚀刻后的表面具有片状和微小乳突组成的微/纳二级结构,修饰后的这些结构可以捕获大量空气.根据Cassie模式的计算方程,水滴与空气的接触面积约占总接触面积的94.11%.实验研究了不同蚀刻时间对试件表面润湿性的影响,理论分析微结构的形成机理.发现最佳制备条件为：蚀刻时间5 min,浸泡时间1 h,此条件下制备的试件的接触角达到164.5°.
     

选择性湿法刻蚀制备内嵌碳纳米管的沟槽结构

提出一种“自下而上”的纳米结构的制备方法。在生长有碳纳米管的氧化硅表面沉积数纳米的钯金属膜后, 用氢氟酸刻蚀, 得到完全由碳纳米管引导的沟槽结构, 并且碳纳米管沿沟槽分布在其底部。通过导电原子力显微镜对沟槽内的碳纳米管的表征, 发现其仍然具有良好的导电性。在碳纳米管和钯金属膜之间增加一层磁控溅射沉积的氧化硅, 可以增加沟槽的深宽比。通过降低钯金属膜的致密程度, 沟槽的开口宽度可降至100 nm左右。该方法制备的结构可以进一步用来构建基于碳纳米管的纳电子器件。     

高机械灵敏度悬空导电薄膜的制备方法研究

微机电系统中的悬空薄膜的制备技术是微结构制备的关键技术之一.研究了周边固支方形薄膜的机械灵敏度及通过浓硼扩散自停止腐蚀法制备高灵敏度悬空导电薄膜.实验结果表明,当扩散温度为1 175℃,扩散时间为3h,去除硼硅玻璃后四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液中腐蚀7.5h,可得到厚度为3μm,边长为5 mm,方块电阻为1.12 Ω/sq,致密均匀的悬空导电薄膜.给出了详细的制备工艺;针对扩散过程中出现的硼硅玻璃等问题,给出了切实可行的解决办法.