基于电热模拟的电迁移可靠性诊断及时钟完整性分析

为诊断大规模集成电路设计过程中电迁移可靠性及分析时钟信号完整性,开发一种用于集成电路片上时钟信号模拟软件Etsim3。该模拟软件考虑了集成电路自热效应,通过电热耦合模拟以及金属连线温度分布解析模型获得更准确的集成电路芯片表面以及各金属连线网络上的温度分布。模拟结果表明,考虑集成电路自热效应前后,电迁移诊断以及时钟信号完整性分析结果都有了较大程度上的改变,Etsim3可以得到更为精确的分析以及诊断结果。     

强酸强碱形成的移动中和反应界面的实验研究

介绍一种用于等电聚焦电泳( IEF) 以及移动中和化学反应界面(MCRB)的实验方法, 并优化实验方法和条件.利用优化的方法和实验条件,完成了由强电解质盐酸和氢氧化钠形成的MNRB 实验. 实验结果与 MCRB 理论定量吻合. 这一实验方法对于 IEF 和MNRB 的研究具有重要的意义.     

Damage of Interconnects by Electromigration Induced Surface Evolution

ＤａｍａｇｅｏｆＩｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓｂｙＥｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎＩｎｄｕｃｅｄＳｕｒｆａｃｅＥｖｏｌｕｔｉｏｎ＊ＺｈａｏＺｈｉｊｕｎ（赵智军），ＹａｎｇＷｅｉ（杨卫）ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＭｅｃｈａｎｉｃｓ，Ｔｓ...     

电渗析脱盐的数学模型

文中建立了电渗析淡室滞流层中二元传质方程,在假设滞流层中水的浓度沿电迁移方向成线性变化的条件下,得到了淡水流浓度是流程长度的衰减指数函数。     

基于丢失手缺陷的IC互连线失效评估新模型

在分析现有的集成路互连线失效评估模型的基础上,提出了一种考虑丢失物缺陷影响的IC互连接线电迁移损失新模型.在IC电路设计中,这种新模型可用于估计与丢失物缺陷及其它因素有关的IC互连线电迁移损失.     

喹啉污染土壤的电动强化修复研究

以高岭土为实验土壤,喹啉为代表污染物,研究了不同电压梯度和运行时间下土壤中喹啉的迁移特征和效果,揭示了利用电动力学技术迁移土壤中喹啉的作用机理．结果表明：电动力学过程能有效地促进土壤中喹啉的解吸附和迁移,迁移速率和距离在一定条件下随电压强度升高而增大;电渗析和电迁移是其主要作用机理,均推动喹啉向阴极移动．     

由Co^2＋和OH^—形成的移动化学反应界面实验的报道

进行了由Ｃｏ＾２＋和ＯＨ＾－形成的“移动化学反应界面”的实验。实验中，观察了界面移动速度（μｔｈｅ＾αβ）对比。通过改变Ｃｏ＾２＋和ＯＨ＾－的浓度和反应管中电场强度等参数，总共完成了２６次实验。统计分析表明：μｏｂｓ＾αβ和μｔｈｅ＾αβ的相关系数是０．９９７，μｔｈｅ＾αβ和μｏｂｓ＾αβ之间的线性回归方程是μｔｈｅ＾αβ＝１．０４４μｏｂｓ＾αβ＋０．１３６。结果显示：实验观察的界面移动速度（     

多对强与弱反应电解质形成的多移动化学反应界面

由多对强、弱反应电解质形成的多移动化学反应界面（MMCRB）模型，可推导出一系列的多移动化学反应界面方程（MMCRBE：s），结果显示：移动化学反应界面（MCRB）模型不同于MMCRB模型，MCRBE:s只是MMCRBE：的一个特列。因此，MMCRBE：s是对MCRB理论的推广，这为研究及设计新的分离技术、研究新的测定反应离子迁移数和淌度的方法、研究“等电聚焦电泳（IEF）”机制等方面提供了理论依据。     

超大规模集成电路金属互连线的电迁移过程指示参量研究

通过实验研究阶段全面描述金属互连电迁移过程的参量集合，发现了电阻和金属薄膜电阻的低频涨落在金融互连电迁移演化过程中的变化规律，实验结果表明，将电阻与金属薄膜电阻的低频涨落点功率谱幅值及频率指数3个指示参数相结合，可以明确指示和区分电迁移过程中材料的空位扩散，空洞成核和空洞长大3个微观结构变化的阶段，上述3个参量作为一个集合才能够全面表征金属薄膜电迁移退化的过程，在此基础上可望发展新的超大规模集成电路（VLSI）电迁移可靠性评估技术。     

强反应电解质形成的移动化学反应界面：实验分析

将移动化学反应界面的实验（引自Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．１９７０，７４：１１２２．Ａｎａｌ Ｃｈｅｍ１９０；４２：３２１和Ｊ．Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒ．１９９３，６８３：１７９）与移动化学反应界面理论的预测作了对比性研究。结果表明：实验结果与理论的预测吻合．因此，实验验证了理论的有效性。