8mm雪崩管过模功率合成器

本文介绍了1种四管IMPATT二极管功率合成电路。采用矩形谐振腔合成技术已成功地使用在毫米波IMPATT二极管功率合成。谐振腔是用过膜(尺寸)波导腔。过尺寸波导腔的使用增加了二极管之间的纵向距离,减小了在很高频率时机械尺寸的要求。合成单元是使用交叉的同轴——波导耦合的二极管支持结构。腔的两端由膜片和1个可调的短路器形成。这腔容易与标准波导耦合。由于矩形波导的不连续性,存在模的转换损耗。实验中获得了功率合成输出,并且有较高的功率合成效率。     

新型耦合滤波器优化算法的研究

根据交叉耦合滤波器的基本原理,建立了适用于任意拓扑结构的滤波器优化模型,总结出以非特殊点拟合为辅助的新目标函数.接着在经典F-R (Fletcher-Reeves)梯度算法的基础上,提出了遗传梯度混合算法和遗传Solvopt混合算法的实现原理.以MATLAB作为研究平台,在滤波器设计实例中验证这两种新型优化算法的正确性.结果说明,这2种算法无需设定初值能以全局搜索的新方式快速收敛到最优解,可适用于更高阶数的任意拓扑结构.根据实验结果,分析比较了新型算法在收敛速度、算法构架以及计算准确度上的优势,总结出算法的适用条件.     

一种低噪声交叉耦合结构集成石英晶体振荡器

通过改进电路结构,采用CMOS交叉耦合结构提供负阻,设计一种20 MHz的集成石英晶体振荡器.在该振荡器中,采用共模反馈使其输出稳定的直流电平,并增加RC高通滤波器和预抑制电路降低其相位噪声.基于NUVOTON 0.35μm CMOS工艺,利用Cadence Spectre对电路进行仿真,结果表明,在电源电压为3.3V,偏置电流约400μA时,该振荡器的起振时间约为1.5ms,输出波形峰-峰值为1.08V,输出直流电平约为801.6mV.输出信号频率为19.95 MHz,相位噪声分别可以达到-155dBc/Hz@1kHz,-164dBc/Hz@10kHz.     

GHz VCO分析与设计

设计了一种用途广泛的VCO电路结构。所设计的VCO电路采用负阻差分振荡器的基本结构,主要对该电路进行了功耗分析,同时也对相位噪声、调谐范围、频率稳定性等方面进行了探讨。设计中采用电源电压为3.3 V,中心振荡频率约为2.44 GHz,21%的调谐范围,以及符合DCS-1800标准的低的相位噪声,重点是达到了较低的功耗。     

一种基于NURBS插补器的高精度交叉耦合控制方法

数控机床各联动轴动态性能不一致会给零件加工带来较大的轮廓误差.在分析传统机床轮廓控制方案不足的基础上,针对高精度数控加工需要,提出了一种基于NURBS插补器的简单实用的高精度交叉耦合控制方法,克服了传统交叉耦合控制方法轮廓误差模型计算的非线性、时变性、不精确性.在建立的基于DSP的数控实验台上验证了该方法的有效性.该方法对于零件的高精度数控加工具有重要意义.     

一种基于低温共烧陶瓷的新型多层交叉耦合基片集成波导滤波器

提出了一种4级交叉耦合的拓扑结构,并用其设计了一个多层基片集成波导滤波器.非相邻谐振腔间的交叉耦合使滤波器产生了2个有限传输零点,改善了滤波器的性能.用高频电磁仿真软件HFSS对滤波器进行设计和仿真,并用8层低温共烧陶瓷（LTCC）工艺对其进行加工.测量结果与仿真结果吻合较好,从而证明了所给滤波器结构的有效性.     

基于BiCMOS工艺的Bipolar VCO和CMOS VCO性能对比

阐述了基于BiCMOS工艺的全集成LC调谐压控振荡器的基本原理.为了比较Bipolar VCO和CMOS VCO的性能,他们很好地设计在同一块芯片上.在560 M的中心频率上,CMOS VCO无论在功耗,还是在相位噪声方面都要优于Bipolar VCO,他们的电流消耗分别为3.9 mA和5.9 mA,两种VCO都是基于0.6μm BiCMOS工艺而仿真和测量的.     

高效E类射频功率放大器的设计

E类射频功率放大器是一种新型高效率的放大器,理论效率可以达到100%,有广阔的发展前景.文章研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在的问题,以及解决的方法--差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例.     

一款工作于2.4 GHz频段的带有源负载的高性能双平衡有源混频器

对带有源负载的CMOS双平衡Gilbert有源混频器的1/f噪声、线性度与转换增益进行深入分析。这款采用PMOSFETs做负载的混频器工作于2.4 GHz频段。为降低混频器的1/f噪声, 利用双阱工艺中的寄生垂直NPN晶体管作为开关, 同时在PMOSFETs处并联最低噪声的分流电路作为负载。运用在PMOSFETs处的高性能运算放大器, 不仅为零中频输出提供了合适的直流偏置电压, 以避免下级电路的饱和, 并能够为混频器提供足够高的转换增益。同时, 在输入跨导(G_m)级电路中采用电容交叉耦合电路能够将转换增益进一步提高。为了增加混频器的线性度, 采用共栅放大器作为输入跨导级电路。这款混频器采用TSMC 0.18m 1-Poly 6-Metal RF CMOS工艺, 在1.5 V电源电压、3 mA的电流消耗下获得了17.78 dB的转换增益、13.24 dB的噪声因子和4.45 dBm输入三阶交调点的高性能。