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1.
 神经科学和神经工程研究需要研究大脑神经元的电活动情况,以了解大脑产生、传输和处理信息的机制。植入式神经微电极作为一种传感器件,是时间分辨率最高的神经电活动传感手段之一。介绍了国内外几种主要的植入式硅基神经微电极的结构特点、制备方法和性能特点。分析表明,未来通过不断结构优化和改性修饰,特别是在高通量的神经记录方面,通过与同样基于硅材料的电路的集成,硅神经微电极能够进一步提高生物相容性,解决大规模的电极通道体内外传输与连接问题,实现对神经元的在体大规模长时间记录。  相似文献   
2.
1 Results Polypyrrole (PPy) is a typical conducting polymer with high conductivity and good stability,and has been widely used for detection of gases including ammonia and nitroxide[1].However the reversiblity and selectivity of the response to these gases are always not satisfying.In the paper,conductive PPy film was deposited on the interdigital electrode modified by one bilayer of poly(diallyldimethylammonium chloride) and poly(sodium styrenesulfonate),by in-situ polymerization with FeCl3 as oxidizin...  相似文献   
3.
4.
在60Si2MnA钢等温淬火工艺和性能研究的基础上,用MEF-3型金相显微镜和JEM-200CX型透射电子显微镜对等温转变产物的组织形态进行了观察研究。并用Rigku D/maxⅢB型X-射线衍射仪测定了样品的残余奥氏体体积分数。实验结果表明,奥氏体-贝氏体复相组织强韧性好的原因在于含有一定数量的残余奥氏体和变态贝氏体组织,且贝氏作为无碳化物贝氏体。  相似文献   
5.
研究了由二价铜盐、还原剂和硫化剂浴液处理法制备导电性腈纶的影响因素、实施方法、导电性腈纶的结构和性能,确定了适宜的工艺条件。研究表明:一浴法和二浴法处理的反应历程和处理结果基本相同,但还原剂、硫化剂的匹配及用量不同;导电化处理后腈给大分子排列的规整性略有下降,宏观形态及物理机械性能无明显变化;当纤维中Cu9S5含量达12.5%时,质量比电阻下降至10-1Ω·g/cm2以下。纤维具有明显的半导体导电特性。  相似文献   
6.
7.
Silicon carbide (SiC) ceramics is a good structural ceramics material, which have a lot of excellent properties such as superior high-temperature strength up to a temperature of 1 350 ℃, chemical stability, good resistance to thermal shock and high abrasion resistance. The silicon carbide ceramics material has so far been used widely for manufacturing various components such as heat exchangers, rolls, rockets combustion chamber. Sintering of ceramics structural parts have many technological method, the reac...  相似文献   
8.
离子束蚀刻是一种有超精细加工能力的微细加工技术,广泛应用于微电子、光子技术、表面科学等领域。硅及其化合物常用来制作大规模集成电路,在其表面蚀刻出具有一定几何布图尺寸的沟槽。其深度、宽度、边壁倾角及槽底形状等直接影响器件的性能。  相似文献   
9.
国内橡胶助剂研究开发情况及发展趋势   总被引:6,自引:0,他引:6  
全面介绍了我国橡胶助剂的品种、性能、生产厂家等,根据现状对今后橡胶助剂工业的发展提出了预测和建议。  相似文献   
10.
报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在AM1.5,25℃,100mW/cm2的条件下,以面积为45cm3的36片硅片研制的硅太阳电池的输出参数的平均值为JSC=36.1mA/cm2,V∞=633mV,F.F.=0.798,η=18.23%,最后分析了种高性能硅太阳电池的设计特点。  相似文献   
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