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1.
2.
王笑君 《华南师范大学学报(自然科学版)》1992,(1):139-141
一般教科书中都提到,理想螺线管(指内部磁场均匀,无漏磁)的条件是无限长(相对而言),绕线蜂蜜。但对绕线是否应该均匀则未做详细论述。本文试图指出,在无介质情况下理想螺线管的绕线都是均匀的,但在部分充满介质的情况下,均匀的绕线反而会破坏“理想”的条件。 相似文献
3.
测定了单斜ZrO_2纳米材料在各种粒度下的付里叶变换红外光声光谱(FT—IR—PAS),发现随粒度的减小,大部分的谱线位置蓝移,而有些谱线的位置红移,同时在不同频段,有的强度增强,有的强度减弱甚至消失。研究了量子尺寸效应和介电限城效应对其光学特征的影响,对观察到的物理现象进行了物理机制探讨 相似文献
4.
李文斌 《湖南科技大学学报(自然科学版)》1996,(2)
本文通过对单涂层吸波材料内电磁波传输损耗机理的细致研究,提出了单涂层吸波材料优化设计的两项原则。结合具体实例详细说明这两项原则的具体应用,最后讨论涂层电磁参量在偏离匹配条件的情况下,对涂层吸波性能影响的具体结果分析。图3.表1,参3。 相似文献
5.
本文研究的是射电望远镜中的本机振荡源、混频器和前中放三部分的混合MIC,对高Q介质稳频的反射型与反馈型两种振荡器的综合方式,理论上作了重点分析探讨,并研制成带有DRO的MIC组件。 相似文献
6.
7.
8.
XI Zengzhe LI Zhenrong XU Zhuo ZHANG Liangying & YAO Xi . Functional Materials Research Laboratory Tongji University Shanghai China . Key Laboratory of the Ministry of Education Xi抋n Jiaotong University Xi抋n China 《科学通报(英文版)》2003,48(19):2038-2040
It has been reported that the single crystal of relaxor ferroelectrics (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (PMN-xPT) with the compositions near the morphotropic phase boundary (MPB, 0.28相似文献
9.
采用雪崩热电子注入技术和高频C-V准静态C-V特性测试,研究了新型快速热氮化的SiOxNy介质膜界面陷阱的特征,侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明:这种SiOxNy薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的分布变化呈现”回转效应“,且存在着不同类型、密度悬殊很大的电子陷阱、指出雪崩热电子注入过程中在Si/SiOxNy界面上产生两种性质不同的快界面态陷阱;给出了这两种界面态陷阱密度在禁带中能量的分布 相似文献
10.
SrGa2S4: Ce blue TFEL device with a novel structure was prepared by electron beam evaporation. The dielectric constant of insulator
layer in this structure is far less than that in the conventional structure, so the hot-electrons can be accelerated in SiO2 layers. The stable TFEL with good chromaticity was achieved and the basic characteristics were investigated. 相似文献