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1.
陆化平 《科技情报开发与经济》2005,15(18):293-295
概述了缓冲区养护中存在的问题,分析了无缝线路缓冲区病害的成因,提出了治理病害的针对性措施. 相似文献
2.
4.
HV/CVD Grown Relaxed SiGe Buffer Layers for SiGe HMOSFETs 总被引:2,自引:0,他引:2
High-vacuum/chemical-vapor deposition (HV/CVD) system was used to grow relaxed SiGe buffer layers on Si substrates. Several methods were then used to analyze the quality of the SiGe films. X-ray diffraction and Raman spectroscopy showed that the upper layer was almost fully relaxed. Second ion mass spectroscopy showed that the Ge compositions were step-graded. Transmission electron microscopy showed that the misfit dislocations were restrained to the graded SiGe layers. Tests of the electrical properties of tensile-strained Si on relaxed SiGe buffer layers showed that their transconductances were higher than that of Si devices. These results verify the high quality of the relaxed SiGe buffer layer. The calculated critical layer thicknesses of the graded Si1-xGex layer on Si substrate and a Si layer on the relaxed SiGe buffer layer agree well with experimental results. 相似文献
5.
将缓冲器应用于高楼供水系统进行减振降噪,完成了理论计算和实验研究,应用结果表明:合理设计和安装缓冲器能够减少管路振动,降低噪声。 相似文献
6.
详细讨论和分析了由于 C/C 语言不进行数组和指针的边界越界检查造成缓冲区、堆栈溢出的原理、要素、以及对系统造成的危害 .对“禁用栈执行、使用安全 C库支持、编译器技术”当前最新的几种防御技术进行了讨论 ,并给出了部分具体的实例程序源代码 . 相似文献
7.
基于硬件纹理体重建的切割算法 总被引:1,自引:1,他引:1
在硬件纹理加速体重建算法的基础上,提出了两种模拟三维数据切割的方法:利用深度缓存实现和利用离散距离场实现.由于使用了图形硬件加速,所提出的算法达到了交互速度,可以应用在手术模拟等诸多三维切割应用中. 相似文献
8.
气相色谱法测定保泰松的含量 总被引:2,自引:0,他引:2
高鹭远 《沈阳师范大学学报(自然科学版)》2004,22(2):128-130
保泰松属于消炎镇痛类药物,临床上主要用于治疗风湿性关节炎.在使用过程中,如果剂量过大或用法不当,能引起中毒.介绍了用气相色谱法测定生物试样(如尿液、血浆等)中保泰松含量的方法,着重阐述用气相色谱法测定保泰松含量的原理,详述实施本方法测定保泰松含量的操作步骤,给出了计算结果. 相似文献
9.
滨岸缓冲带对农业面源污染NH_4~+-N,TP的吸收效果 总被引:13,自引:0,他引:13
在野外布点采样及分析的基础上,比较了滨岸缓冲带植被类型对NH4^ -N、TP浓度变化的影响,以及不同深度样品中NH4^ -N、TP的浓度变化.结果表明:(1)植被不同,缓冲带对NH4^ -N、TP的去除效率不同;(2)不同深度采集的样品中,NH4^ -N、TP的浓度变化有差异。 相似文献
10.
制备一种利用4,4′-N,N′-dicarbazole—biphenyl(CBP)作为超薄空穴注入缓冲层.CBP作为一种较好的缓冲材料,改善了有机发光器件的性能.CBP阻挡部分从阳极ITO注入到有机层NPB的空穴,从而平衡了空穴和电子的注入.有缓冲层的有机发光器件比没有缓冲层有机发光器件的电流效率有了明显的提高.当缓冲层CBP为4nm时,最大电流效率在8V时达到5.66cd/A,这是没有缓冲层器件电流效率的近1.5倍. 相似文献