凝胶-固相反应法制备SrBi2Ta2O9

以碳酸锶、五氧化二钽、三氧化二铋等物质为原料，采用凝胶一固相反应法制备了SrBi2Ta2O9。利用XRD、DTA、SEM等分析手段对其形成过程和烧结特性进行了研究。结果表明，球磨时间、烧结时间以及烧结温度对烧结密度和SrBi2O9的分解都有明显的影响。介电性能显示，该方法合成的SrBi2Ta209和传统的固相法合成的SrBi2TaO9性能差别不大。     

离子束动态混合注入钽对GCr15抗蚀性能的影响

腐蚀是引起GCr15制航空轴承早期失效的主要原因，选用促进钝性元素Ta用离子束动态注入的方法，来改变GCr15材料表面特性，提高其抗蚀性能，是防止航空轴承早期失效的有效途径．通过在0.5mol／LH2S04溶液和0．1mol／LNaCl溶液中电化学方法测试和人造海水环境的模拟试验及盐雾试验检测结果表明，离子束混合注入Ta具有极好抗全面腐蚀和抗点腐蚀的性能，其效果优于注Ti或注Cr，其耐蚀性提高的机理是由于注入表面形成高稳定性的Ta2O5防护膜和富钽的非晶态合金层．     

Bioactivity analysis of the Ta (V) doped SiO2–CaO–Na2O–P2O5 ceramics prepared by solid state sintering method

The main objective of the study was to control the degradation rate of material at a higher degradation rate improving the chemical stability of the material. Ta is known to have good chemical resistance, biocompatibility and show no adverse biological response. In the present study, SiO2–Na2O–CaO–P2O5 bioceramics with different Ta2O5 contents was prepared by solid state sintering method at 1000 °C. The as-sintered ceramics were subjected to immersion studies in stimulated body fluid (SBF) for 21 days under static condition and characterized by XRD, FTIR, SEM, and AAS. The findings of the research indicate that the addition of Ta2O5 controlled degradability, and all samples showed sufficient bioactivity.     

阳极Ta/Ta2O5的薄膜曲界面结构特征及形成机理

采用电化学方法制备了钽电解电容器阳极.通过场发射扫描电镜和理论分析对钽阳极断面的曲面结构特征及其形成机理进行了研究.研究结果发现Ta/Ta_2O_5的薄膜曲界面存在间隙层(1nm),该间隙层为氧空位及其缺陷离子迁移所致;曲面结构的应力模型表明曲面薄膜界面的电化学生长过程生产缺陷浓度高于平面系统,讨论了钽电解电容器曲面薄膜的形成过程对电场应力畸变屏蔽的机理.     

塔儿山—二峰山碱性与偏碱性杂岩体的地质与岩石生物学特征研究——以贺家庄勘查区岩体特征为例

根据对霍西煤田临汾市尧都区贺家庄煤炭预查的情况,结合区域岩体出露及以往研究成果,对塔儿山—二峰山碱性、偏碱性侵入杂岩的地质、岩石特征及演化规律进行了简单论述。     

观赏植物矮化培养研究

通过试验筛选出适合万寿菊、满天星快速繁殖的培养基．矮壮素可使满天星和万寿菊丛苗数量减少,植株生长明显受抑制,使其节间缩短,叶片增厚,叶色浓绿．矮壮素还有使万寿菊根系发达粗壮,分支较少的作用．500mg／L的矮壮素比较适宜矮化培养,既达到了矮化的效果又不至于阻碍植株正常生长,且试管苗株形紧凑、美观．     

生长调节剂对万寿菊花药培养的影响

以B5为基本培养基,选用KT／NAA、KT／2,4-D、6-BA／NAA、6-BA／2,4-D4种生长调节剂组合;每种组合设20／3、25／3、50／3、80／3、50／1、80／16种比例,研究对万寿菊花药愈伤组织诱导和器官分化的影响。结果表明,KT／NAA=20／3的花药愈伤组织诱导率最高;KT／NAA：25／3、KT／NAA=20／3和6-BA／NAA=25／3最有利器官分化;2,4-D与6-BA、KT组合对器官分化无作用。     

掺钽LN单晶生长及其含钽量测定

本文研究并确定了掺钽LN单晶的生长条件。介绍了“此重法”的原理和操作,并首次用这种不损坏晶体样品的方法测定了生长出的一系列掺钽LN 晶体中的含钽量。     

Co—Ta—O颗粒膜的磁电阻效应研究

利用射频共溅射方法制备了一系列Co-Ta-O介质颗粒膜，用X射线能量色散谱和X射线光电子谱分析了薄膜的成分和元素价态，用X射线衍射测量了薄膜的晶体结构，结果表明，Co-Ta-O颗粒膜系是由Co颗粒镶嵌在非晶的氧化钽绝缘介质中而形成，通过改变制备条件，研究了测射电压和C成分对颗粒膜隧道磁电阻效应的影响，发现磁电阻比值先随Co成分的增加而增加，在Co原子个数比为26％时达最大值，后随Co成分的进一步增加而减小；在Co成分一定的情况下，低的溅射电压有利于获得大的隧道磁电阻比值。