用壳聚糖重量法测定硅酸盐中的二氧化硅

采用壳聚糖为凝聚剂，重量法测定二氧化硅，试验了凝聚剂用量，溶液酸度、蒸发体积．放置时间及温度等对硅酸凝聚的影响，得出了最佳的沉淀条件，并测定了标准样品，测定结果的偏差较小．     

硅表面双聚体空位附近原子沉积的理论研究

采用经验紧束缚近似方法模拟重构硅(100)表面单个双聚体空位(SDV)附近的单个硅原子的沉积行为，根据绘制的SDV附近附加能量差异的三维及投影图，确定了沉积束缚点和一些鞍点，并研究其可能的扩散路径。     

低介电常数含氟碳化膜微观性能分析

以CH4 和CF4 的混合气体作源气体 ,利用等离子体增强型化学气相沉积法 (PECVD)改变沉积条件 ,制备了一批含氟碳化膜样品。并用原子力显微镜 (AFM)、X射线衍射、红外光谱、紫外一可见光等设备分析了薄膜的表面形貌和微观性能。     

锡表面Mo(W)-S-Sn彩色簇合物膜的组成与结构研究

通过(NH4)2Mo(W)S4溶液浸渍,在金属Sn表面获得了不溶性且具有金属光泽的Mo(W)-S-Sn彩色簇合物膜。FT-IR、F-IR、FT-Raman、XPS和AES研究表明,簇合物膜中存在Mo(W)-S-Sn、端基Mo(W)-S和端基Mo(W)-O键,膜层由Mo(W)、S、Sn和O元素组成,膜为多分子层结构,从AES深度分布曲线的组成恒定区求得了元素的相对原子百分数和膜层厚度。     

激光收发器件硅基平台封装设计与工艺实现

分析了光电子器件对V型槽刻蚀工艺精度的要求,计算了激光二级管(LD)与光纤直接耦合时所容许的对准容差,给出了无源对准封装工艺对设备和工艺控制精度的要求,并采用贴片精度达±1μm的自动贴片倒装焊工艺和硅V型槽定位技术开发了一种激光收发器件模块.初步的封装试验和测试证明了硅基平台无源对准封装工艺的可行性和可靠性.     

单片机在可控硅控制系统中的应用

本文对可控硅触发电路提出了一种新的设计方法,即采用单片机的一个定时器,三位输出口,外加同步信号检测器和触发信号的驱动电路,构成一个简单实用的三相可控硅触发器,触发角的大小由外部控制信号决定,触发脉冲的宽度由软件参数控制。从而完成可靠、准确地触发。     

玻璃与硅片场致扩散连接过程中的电流特性与断口分析

对K4 玻璃与硅片在大气中进行了场致扩散焊 (阳极焊 )焊接试验。结果表明 ,K4 玻璃与硅片在焊接温度为 30 0～ 4 5 0℃和焊接电压为 70 0～ 85 0V的范围内都能够实现较好的连接。试验还表明 ,阳极焊过程中的电流随时间的延长而降低并渐趋稳定、随焊接温度和焊接电压的降低而减小。利用扫描电镜和能谱分析等手段对拉伸断口及接头组织和成分进行了分析。     

杂多蓝光度法快速测定碳素钢中硅、磷

在室温、一定的酸度等条件下，分别采用二元硅钼蓝光度法、三元饿磷钼蓝光度法测定碳素钢中硅、磷，加快了显色反应速度，本方法操作简单、显色物稳定性强，测定准确率高。     

激光照射硅钢片降低铁损的实验研究

采用JG -2A激光器对35Z145硅钢材料进行照射实验 ,阐述了激光照射能提高硅钢晶粒取向 ,降低铁损的技术。     

光电池在光强测量中的最佳使用条件

从理论和实验上探讨了硅光电池的光电转换性能。推导了在光强测量实验中光电池光生伏特和光生电流与外接测量线路电阻的关系。指出了硅光电池的最佳使用条件,并设计出测量线路。