一维半导体流体动力学模型的解的逐点估计

讨论了一维半导体流体动力学模型，得到了小初值情况下Cauchy问题解的整体存在性和解的逐点估计，我们所使用的方法是对相应的线性化系统的Green函数的详细分析和能量估计。     

半导体封装测试系统的生产能力规划

半导体封装测试生产线的流程复杂，资源多样。其生产能力规划需要解决生产任务在多个工厂的分配．资源在各个工厂优化安排的问题。当生产能力不足时．还需对如何优化地购进资源进行决策。文章介绍了半导体封装测试生产能力规划需要考虑的各个环节．提出生产过程模型单元（PPM）思想，建立了具有流程适应性的线性规划模型．解决了生产能力分配问题。在前一个问题求解结果基础上，还采用派生模型解决了制定资源购进计划的问题。模型已经成功应用在Intel公司的封装测试生产线上，与原来采用的电子表格的能力规划方法比较：实现了计划制订的自动化；规划时间从原来的22小时降低到目前的2小时；资源的优化分配方案帮助减少了资源的购买量，已为企业节约成本约240万美元。     

Structural and spectroscopic analysis of wurtzite (ZnO)1-x(Sb2O3)x composite semiconductor

The structural, vibrational and impedance analysis for(Zn O)1 x(Sb2O3)xcomposite synthesized by solid state reaction technique were carried out in the present investigation. X-ray diffraction(XRD) study showed that(Zn O)1 x(Sb2O3)xcomposite has hexagonal(wurtzite) crystal structure. Variation in lattice constants with Sb-doping indicated the proper incorporation of Sb dopant in Zn O host matrix. The results of Raman spectroscopy test suggested the signature of E2(high) and E1(TO) Raman modes, and verified the wurtzite structure of(Zn O)1 x(Sb2O3)x composite. Two additional phonon bands(671, 712) cm 1appeared in Raman spectra of composite samples due to the existence of the lattice defects caused by Sb doping or may be other intrinsic lattice defects formed during the synthesis of(Zn O)1 x(Sb2O3)xcomposite. The frequency dependent on the electrical characteristics, such as, impedance(Z), dielectric constant(ε) and AC conductivity(σ) have been studied in a range of frequencies for different Sb concentration at room temperature. The electrical measurement results showed that the impedance increased with Sb dopant concentration, while dielectric constant and AC conductivity decreased with Sb dopant concentration.     

ZnO基稀磁半导体的第一性原理研究进展

综述了ZnO基稀磁半导体的应用意义及其近些年以来的研究进展。从晶体结构、材料的第一性原理研究现状和待解决的问题几个方面阐述了以ZnO基稀磁半导体的基本特点，并展望了今后的研究重点及发展方向。     

ZnO基稀磁半导体的研究进展

现在的信息技术主要利用电子的电荷自由度去处理和传输信息,利用电子的自旋自由度去存储信息.而稀磁半导体同时利用了电子的电荷属性和自旋属性进行信息处理和存储,使其成为了一类新型的半导体.稀磁半导体具有很多特殊的性质,在高密度存储器、半导体集成电路、半导体激光器和量子计算机等领域将会有广阔的应用前景.本文主要介绍了近年来世界各国研究小组采用不同方法合成的ZnO基稀磁半导体,对其磁性进行了系统研究,分析了铁磁性产生的机理.