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1.
采用红外吸收光谱分析了SIPOS薄膜中Si—O键的结构,对比了热退火、快速灯光退火对SIPOS中Si—O键结构的影响,并结合SIPOS/Si结构的C-V,I-V测试结果,对其界面特性进行了分析.
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2.
本文采用直流辉光放电法在台面功率半导体器件上生长
SIPOS钝化膜.研究结果表明,
SIPOS钝化的功率器件性能要好于聚酰亚胺钝化的功率器件,可以有效地提高功率器件的可靠性.基于此提出了
SIPOS/PI复合钝化结构来改善台面功率半导体器件的表面特性.
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