表面分析的新方法—（RHEED－TRAXS）和（SEM－TRAXS）

本文综述在反射高能电子衍射仪中测量全反射角ｘ射线谱（简称ＲＨＥＥＤ－ＴＲＡＸＳ）的表面化学分析方法。对这种分析方法的基本原理、主要优点及应用作了概略介绍。本文还介绍了在扫描电镜中进行全反射角ｘ射线谱（简称ＳＥＭ－ＴＲＡＸＳ）测量的方法及结果，并在文章的末尾指出了在扫描中实现（ＳＥＭ－ＲＨＥＥＤ－ＴＫＡＸＳ）的可能性。     

用于薄膜外延生长的单晶基片RHEED研究

利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对微电子技术常用的Si,SrTiO3单晶基片进行了表面结构分析.研究了硅基片的不同清洗工艺对衍射图样的影响,发现衬底的处理工艺非常重要.借助于反射式高能电子的衍射图样和理论分析,计算出与理论值相近的SrTiO3基片晶格常数.结果表明,高能电子衍射仪可以被用于计算生长在基片上的外延薄膜面内晶格常数.