菜花多晶中铁含量的UV法分析

采用UV-3501建立测定菜花多晶中铁含量方法,含量线性回归线关系良好R=0.99979(N=5),与原子吸收法比较,该法简便、准确,可用于菜花多晶等材料中微量铁含量的检测。     

卤化物晶体光纤的性质和损耗机理

在钟宏杰等利用直接成型法生长KCl和AgCl晶体光纤的基础上，采用理论计算和实验测量方法，研究了它们的光学性质和光损耗机理。计算和测量结果表明，光纤芯与包层及界面的光吸收和散射是产生损耗的主要原因，通过减少光纤宏观和微观缺陷，可将光纤损耗降低到原来的十分之一。     

多晶金属材料断裂过程数值模拟方法

针对多晶金属材料微观结构的多样性和破坏过程的复杂性,本文基于Voronoi图构建多晶体微观结构图的基础上,结合近场动力学方法,将多晶体离散为一系列物质点,通过积分求解近场域内各物质点的相互作用力,建立了外界载荷作用下多晶材料内部裂纹扩展及结构破坏的损伤演化模型,对多晶材料取不同晶界强度系数和晶粒大小时的断裂性能进行研究。研究结果得到,当晶界强度系数β≥1时多晶材料通常发生穿晶破坏,β<1时材料则容易发生晶间破坏;在材料表现为穿晶破坏模式下,随着晶粒尺寸的减小,材料的抗断裂性能得到提升。     

非晶硅薄膜的制备及晶化研究

采用磁控溅射技术首先在玻璃基片、单晶硅片上溅射非晶硅薄膜再在其表面溅射铝膜,并用快速退火炉在不同温度下进行退火。利用台阶仪、拉曼散射光谱(Raman)仪和X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行性能表征。结果表明:在功率120W,气压1.5～2.5pa,时间为3.5～4.5h的条件下可制备得非晶硅薄膜,Al诱导能降低晶化温度,并在500～600℃间存在一最佳晶化温度。     

遮挡对硅太阳电池组件性能的影响研究

遮挡是造成太阳电池组件输出功率降低的原因之一,研究这一因素可以让人们正确认识遮挡造成的后果,避免不必要的损失。通过对单片电池进行不同比例的遮挡,分别测试了单晶硅、多晶硅两种太阳电池组件性能变化和对蓄电池充电的影响,并对两种太阳电池造成影响的差异进行对比。     

聚晶金刚石切削齿散热电阻钎焊工艺的研究

采用散热电阻钎焊工艺对聚晶金刚石切削齿进行钎焊，钎缝的抗剪强度达４１７．５ＭＰａ。复合片的磨耗比下降率小于１０％。采用表面测温实时监控技术，使复合片上金刚石层受热的温度低于７００℃。用复合片切削岩石，由此测定出复合片的耐磨性。这样增加了测试结果的可靠性。现场应用表明，用本工艺钎焊的聚晶金刚石切削齿制造的钻头质量稳定，基本无掉片现象。     

Three-dimensional Numerical Prediction of the Flow and Temperature Field at the Surface of a PDC Bit

Ｔｈｒｅｅ┐ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌＮｕｍｅｒｉｃａｌＰｒｅｄｉｃｔｉｏｎｏｆｔｈｅＦｌｏｗａｎｄＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＦｉｅｌｄａｔｔｈｅＳｕｒｆａｃｅｏｆａＰＤＣＢｉｔＣｕｉＧｕｉｘｉａｎｇ（崔桂香），ＸｕＷｅｉｒａｎ（徐巍然），ＺｈａｎｇＺｈａｏ...     

The effects of interface scattering on thermoelectric properties of film thermoelectric materials

A theoretical model taking into consideration the interface effects is established to predict the Seebeck coefficient and the electrical conductivity for a polycrystalline thermoelectric （TE） thin film. The interface scattering mechanisms （including the film-surface scattering and grain-boundary scattering） of the transport electrons in the film materials are revealed. The relations between the Seebeck coefficient, the electrical conductivity and the interface parameters （the film-surface reflection coefficient and the grain-boundary transmission coefficient） are then discussed with respect to the proposed model. The differences in the TE properties between the films and bulk materials caused by size restriction are investigated. The results indicate that the higher grain number leads to stronger grain-boundary scattering and more distinct size effects of the TE properties. In contrast to the surface effect, the grain-boundary effect plays a main role in the TE properties of TE films with polycrystalline structures.     

电子束辐照对多晶硅太阳能电池电学性能的影响

运用电子束对多晶硅太阳能电池样品按不同剂量进行了分组辐照试验,对辐照前后的太阳能电池片样品的主要电学参数进行了测试;并根据晶体硅太阳能电池电学参数特性对测试结果做了对比分析,得出了电子束辐照后其各主要电学参数的增加或衰减程度。同时,结合多晶硅太阳能电池主要电学参数的理论分析,研究了电子束辐照对太阳能电池样品宏观电学参数的影响,揭示了电子束辐照下多晶硅太阳能电池电学性能退化的原因。