制备介孔复合环境材料的酸洗刻蚀工艺

探索了一种制备介孔复合环境材料的方法--破坏式造孔与有机复合相结合,使最终产品可大量吸附污染水体中的各种污染物并具有一定的杀菌功能.该方法通过酸洗刻蚀,达到了去除原材料中的杂质和刻蚀孔径的目的,所制备的中间产品24h吸湿率为原材料的2倍,染料吸附量为原材料的1.6倍.     

半导体单晶硅的离子束蚀刻实验研究

离子束蚀刻是一种有超精细加工能力的微细加工技术,广泛应用于微电子、光子技术、表面科学等领域。硅及其化合物常用来制作大规模集成电路,在其表面蚀刻出具有一定几何布图尺寸的沟槽。其深度、宽度、边壁倾角及槽底形状等直接影响器件的性能。     

等离子体窗密封性能实验研究

等离子体窗具有高真空密封性和良好的束流通过性,在电子束焊接、加速器等领域有很大的应用前景. 针对传统等离子体窗应用孔径小的问题,本文在优化的三阴极源基础上研究了通道直径为7 mm和8 mm等离子体窗的密封特性,以及Ar、He、H2三种等离子窗压降系数随输入电流和气流量的变化关系. 结果显示,在输入电流120~210 A、气流量1000~5000 sccm范围内,Ar等离子体窗的压降系数随输入电流、气流量的增加呈先上升后下降的变化趋势,He、H2等离子体窗的压降系数随输入电流的增加逐渐上升,但随着气流量的增加,He等离子体窗的压降系数先上升后下降,H2等离子体窗的压降系数逐渐下降. 本实验获得的等离子体窗最大压降系数为2550,可隔绝的最大高压为1 atm,与已报道文献相比具备较好的竞争优势,展现了良好的密封性,在未来加速器等领域有很大的应用潜力.     

微机械加工中恒温腐蚀系统的设计研究

本文设计了一个恒温腐蚀系统，用于微机械加工制作中的腐蚀工艺．系统装备了冷凝回流与加热搅拌装置，保证了腐蚀过程中，腐蚀液浓度的稳定与均匀；特殊设计的加热设备，提高了热量的利用效率．同时，采用内藏式温度传感器和基于模糊专家系统的温度控制算法，使腐蚀系统的温度控制更加精确、灵活．与传统水浴恒温相比，不仅使用方便，而且提高了腐蚀的效率与质量．     

含铜蚀刻废液的综合利用—硫酸铜生产工艺研究

采用酸性蚀刻液与碱性蚀刻液混合沉淀铜的方法，生产工业硫酸铜，不用蒸发浓缩，工艺简单，成本低．对影响产品质量和产率的主要因素ｐＨ，化浆用水量和浓硫酸用量进行了探讨，找到了最佳工艺条件，产品质量符合ＧＢ４３７－８０．     

Study on the hydrogen storage property of (TiZr0.1)xCr1.7-yFeyMn0.3 (1.05

Jigang Li  Li Xu  Xiaojing Jiang  Xingguo Li 《自然科学进展(英文版)》2018,28(4):470-477

Ion flux dropout observed near dipolarization front

An ion flux dropout near the dipolarization front （DF） at around XGSM =- 11 RE in the Earth＇ s plasma sheet was observed by Time History of Events and Macroscale Interaction during substorms （THEMIS） on March 31, 2009. The ion differential energy fluxes at energies from 450 eV to 150 keV measured by the ESA and SST instruments from THC began to decrease about 2 s before the detection of the DF and reached a local minimum 6 s later. Then, the ion fluxes gradually increased to form a dropout around the DF. The spatial extent of the dropout was about 4,000 km. For energies above 20 keV, the ion fluxes after the dropout are greater than those before it, contrary to the fluxes at energies below 20 keV. The associated ion density variation indicates that the ion flux dropout coincides with the ion density dropout. Taking advantage of multipoint observations, THD, THC, and THE detected the same DF consecutively. Only THC detected an obvious ion flux dropout; THD observed an indistinct one about 2 s before THC; no high-energy （E 〉 30 keV） ion flux dropout was observed by THE. Our study suggests that the ion flux dropout may evolve with the earthward-propagating DF, and its properties can depend on locations relative to the DF.     

圆柱形反应器鞘区离子平均动能的径向分布

针对鞘层结构,建立了鞘层模型和离子速度分布函数,导出了离子平均动能的积分表达式并得出数值积分的结果.用级数的两项拟合平均动能积分表达式的对数项,积分得到解析结果和简化结果.应用积分表达式、解析式及简化式进行计算,得出了圆柱形鞘层内不同位置(半径)处的粒子平均动能.结果表明鞘层越厚、粒子平均自由路程越小,则它们的差别越小.它们可有效地应用于散布在反应室各处粉体的刻蚀和纯化.     

UFPA器件微桥腐蚀工艺的研究

利用硅单晶的各向异性腐蚀技术,研究了UFPA探测器的微桥腐蚀工艺.采用独特的腐蚀装置在厚度为300 μm的硅基片上成功地制备了腐蚀坑深度为260 μm,桥面宽度为2 mm的微桥结构.该装置能有效保护硅基片正面免受腐蚀液的漏蚀,从而可实施热释电薄膜的沉积先于微桥制备的技术线路,对提高器件的成品率具有重要的意义.