用蒸发法制备NEA光电阴极初探

用蒸发法制备负电子亲和势(NEA)光电阴极,探讨了两个可能性:(一)改进现有多碱阴极的工艺规范,制备负电子亲和势光电阴极。(二)用蒸发法制备Ⅲ—Ⅴ族负电子亲和势光电阴极。     

基于光谱响应测试的光电阴极性能评估

NEA光电阴极性能评估的目的就是求出NEA光电阴极有关特性参数,从而进一步分析光电阴极性能优劣的原因。动态光谱响应测试技术为NEA光电阴极的制备及其性能评估提供了实时直观的参考,是获得高性能光电阴极的重要保证。本文通过对NEA光电阴极光谱响应的在线测试,采用曲线拟合方法,实现了电子表面逸出几率、扩散长度、后界面复合速率及积分灵敏度的评估。     

关于锑碱高效能光阴极光电子逸出特性的分析研究

本文从讨论半导体光电发射出发,提出了光电子能量损失速率的概念.运用所导出的理论公式,对实用锑碱光阴极的光电子逸出深度和逸出几率做了计算.结果表明:S-11光阴极的最大逸出深度为284A.与之相比,多碱光阴极有较大的逸出深度,这应归因于它有合适的带隙,较高的二次电子空穴对生成阈值以及较低的有效电子亲和势.最后,分析了阴极厚度对长波、短波响应的影响,给出了S-20VR光阴极的实际厚度约为1300A.