PbWO4晶体F心及F+心吸收带的能级计算

采用离散变分法计算了PbWO4晶体的能带结构，并用F心及F^ 心的类氢离子1S波函数结合离散变分法计算了F心及F^ 心的电子基态能级，计算结果表明，F心及F^ 心电子基态能级分布在禁带中，分别位于距导带底1.97eV(630nm)及2.36eV(525nm)处，它们的吸收跃迁对应于基态到导带底的跃迁，使晶体呈现F心及F^ 心吸收带，化学计量PbWO4晶体的辐照诱导吸收谱位于500-700nm，呈现一个宽吸收带，高斯分解的结果表明；该吸收带是由两个峰值分别位于550nm和680nm的吸收带叠加而成的，这两个吸收带分别对应于F^ 心及F心吸收带，计算结果与实验数据吻合较好。     

退火处理对镨离子掺杂钨酸铅晶体的光谱影响

研究退火处理对镨离子掺杂钨酸铅晶体光谱性质的影响.在常温条件下测量镨离子掺杂钨酸铅晶体退火前和退火后的偏振吸收谱、偏振荧光谱和主要荧光发射上能级的衰减曲线.研究表明退火处理可以减少大部分与氧缺乏有关的缺陷中心和与热应力有关的晶体缺陷中心;探讨了减少其它晶体缺陷中心的方法.结果表明,晶体的退火处理是一种提高镨离子掺杂钨酸铅晶体发光性能的有效方法.     

不同化学配比钨酸铅晶体缺陷的研究

利用正电子湮没寿命谱（PAT）和X光电子能谱（XPS）的测试手段，对不同化学配比钨酸铅晶体中缺陷进行研究，结果表明丰W样品增加晶体中铅空位（VPb）浓度（物质的量比）、而丰Pb样品则少晶体中VPb浓度。这一结论对大尺寸钨酸铅晶体生长过程中关于温度梯度、生长速度和加温制度的有效选取具有一定的参考作用。并结合发射谱的测试，提出钨酸铅晶体中的绿发光很可能产生于由VPb引起的WO3＋O^-。     

在双羧离子化合物辅助下有序纳米结构PbWO4的制备及其荧光性能研究

该文分别以草酸钠、丁二酸钠、己二酸钠为PbWO₄纳米晶生长阶段的结构导向剂,采用直接沉淀法制备了具有有序纳米结构的PbWO₄,用X-射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和红外光谱(IR)等技术手段对产物的结构进行了表征,研究了不同种类的双羧基阴离子对制备的PbWO₄纳米晶产物荧光性质的影响.PbWO₄有序纳米结构的形成可能原因是:双羧阴离子与PbWO₄纳米晶的某些晶面络合,进而影响到PbWO₄纳米晶的生长.     

钨酸铅晶体中掺杂阳离子的计算机模拟

用缺陷化学方法讨论了Nd3 、Th4 、Sb5 掺杂PbWO4(PWO)中可能存在的杂质缺陷模型,用GULP软件计算了不同杂质缺陷的生成能.计算结果表明,Nd3 和Th4 将占据PWO晶体中VP2b-周围的Pb位,对VP2b-的电荷补偿抑制了PWO晶体中420 nm吸收带.Sb5 在高浓度掺杂时将占据PWO晶体中V2O 周围的W位,并由于占据W位所呈现的一价负电性补偿V2O 的正电性,使孤立的铅空位增多,引起350 nm吸收的减弱和420 nm吸收的增强.