PbTe/PbSe三维树枝结构的水热合成及形貌控制

采用简单的水热合成法制备了三维树枝结构的PbTe/PbSe复合材料,利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)等分析手段进行材料结构和形貌表征.研究反应过程的影响因素及晶体的形成机制.结果表明,产物的形貌受反应时间、反应温度、NaOH浓度的控制.基于不同反应时间产物的分析,推测产物的结构可能是一种包覆结构(PbTe被PbSe包覆),并分析了形成这种结构的原因.     

Pb／PbSe Schottky势垒结研究

本文对形成Ⅳ-Ⅵ族PbSe 金属-半导体肖特基势垒结之工艺和为了提高该器件的R_0A 值,将氯化物作为Pb/PbSe 界面的机理作了研究.本文还研究了具有PbCl_x 界面的PbSe 肖特基势垒结的特性模型化,同时给出了R_0,n,R_(SH),和Φ_B 等模型参数的提取方法.测量表明具有界面层的Pb/PbSe势垒结显示了良好的电学性能.     

PbSe量子点合成路线的探讨

分别采用超声、TOP和NaBH4等三种方法对PbSe量子点的合成路线进行了实验探讨,用IR、XRD、粒度分析和荧光倒置显微技术对三种合成方法制备得到的量子点进行了表征,总结了各种合成方法的操作要点。