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旨在探索不同介质的ＰＣＶＤ涂层对结构钢表面硬度及耐磨性的影响。实验采用两种不同的金属有机溶液（（Ｃ３Ｈ７Ｏ）４Ｔｉ；（ＣＨ３）６ＳｉＮ）对４２ＣｒＭｏ钢进行表面处理。通过测量显微硬度及耐磨试验，得出以下结果：钛酸丙脂处理，其表面硬度及耐磨性均较好；而氮－硅烷处理，虽表面硬度较高，但耐磨性较差。这两种介质的表面处理都优于常规的离子渗氮 相似文献
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气相法同质外延金刚石单晶薄膜的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
本文以＜１００＞和＜１１１＞两种取向的金刚石为衬底，用微波ＰＣＶＤ法进行了同质外延实验，考察了衬底取向，反应气体，碳源浓度等因素对外延层形貌与结构的影响，给出了获得比较理想单晶外延层的实验条件。 相似文献
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根据国内外发表的有关研究成果，并结合作者使用高频等离子化学气相沉积法制制备超细ＴｉＯ２的工作，简要综述了超细ＴｉＯ２粉末的性能，应用及各种制备方法。 相似文献
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交流脉冲制备TiO2薄膜的性能研究 总被引：1，自引：0，他引：1
利用150kHz交流脉冲放电进行等离子体化学气相沉积（PCVD），使用Ti（OC3H7）4为源物质，在普通钠钙载玻片上制备了TiO2膜．主要考查了交流脉冲电压、反应室工作气压、气体流量、薄膜沉积温度等工艺参数对薄膜光学特性的影响,通过薄膜透过率和吸光度分析，探讨了各工艺参数对成膜品质的影响．结果表明：在载玻片上．根据不同沉积条件可制成性能不同的TiO2薄膜，均有光催化特性且附着力好． 相似文献
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非晶硅薄膜的高速沉积是非晶硅太阳电池低成本,大规模生产和推广应用的关键技术之一.我们采用预热反应气体.在小的射频功率流密度条件下.用热催化等离子体化学气相沉积方法.获得了沉积速率为20×10~(-10)m/s光敏性达10~5的优质非晶硅薄膜. 相似文献
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PCVD法渗Si的研究 总被引：2，自引：1，他引：1
为解决硅含量超过３．５％的硅钢片无法轧制薄片的矛盾,探讨用等离子体化学气相沉积法（ＰＶＣＤ法）,在（０．１－０．３）ｍｍ厚的普通硅钢片表面涂硅,然后进行短时间高温扩散,使硅钢片平均含硅量达６．５％磁性能达到或超过冷轧取向硅钢片性能。 相似文献
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用直流等离子体增强化学气相沉积(PCVD)方法在T225NG钛合金基体上制备出厚度约为6μm的TiN/TiN+Si/TiN多层膜,重点研究了多层膜及钛合金基材在室温和高温条件下的微动磨损行为,采用激光共焦扫描显微镜测定磨损体积,用扫描电子显微镜观察磨痕微观形貌.结果表明：在室温(25 ℃)至400 ℃范围内,微动初期和稳定阶段多层膜的摩擦系数比钛合金基体低,磨损体积也比钛合金基材明显降低;多层膜磨损体积随着温度的升高而增大;多层膜可以显著降低钛合金基材的磨损;多层膜的损伤主要表现为剥层和磨粒磨损形式. 相似文献
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讨论了管式等离子体化学气相沉积制备SnO_2:Sb掺杂透明导电膜的电学性能与沉积温度,进氧量和沉积时间的依存性.在进氧量为3L/min、沉积温度500℃、沉积时间30min的条件下制得了电阻为17Ω/□的SnO_2:Sb薄膜.并利用电镜显微形貌观察到在500℃时,制得的薄膜晶粒细微密集,致密度高.还测定了薄膜的温阻特性,结果表明该膜具有负温阻特性. 相似文献
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对光纤ＰＣＶＤ（等离子体化学气相沉积）制造工艺的微波等离子体有源区的性质进行了分析，指出微波电场是使反应物电离的决定因素之一，而反应物电离后生成的带电微粒，又影响微波的传输，使微波传输线由原来的驻波状态变为行波状态。进而，对有源区的电子密度分布进行了分析，导出了光纤ＰＣＶＤ工艺有源区微波场满足的亥姆霍兹方程并进行了数值求解。结果表明：有源区微波场的分布是不均匀的，在等离子体柱中心最大，并与电子密度密切相关 相似文献
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