NiS纳米晶的水热合成及表征

在低温水热条件下,以NiCl2.6H2O、Na2S2O3、硫脲为反应物,制备了金属硫族化合物NiS纳米晶.用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)分别对NiS纳米晶的结构及形貌进行了表征分析.结果表明,所得样品为六方晶系的NiS纳米晶;同时采用不同硫源及表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)可以获得不同形貌的纳米晶.     

硫化镍棒的溶剂热合成及其电化学性能研究

采用溶剂热的方法,以乙酸镍和硫脲为原料,乙二胺作为溶剂,在180℃下制备α与β混晶型硫化镍棒.利用XRD、SEM和EDS等分析手段对样品的形貌和化学组成进行表征.在1.0～3.0V时,制备的NiS样品的首次放电比容量为589.66mAh/g;在0.01～3.00V时,首次放电比容量为1 050.28mAh/g.初步探索出其容量衰减的原因.     

二硫化镍空心微球的制备和表征

以NiCl2.6H2O和Na2S2O3.5H2O为原料,在150℃较低温度的水热条件下制备了NiS2空心微球,用XRD和SEM对产物进行了表征,NiS2粉体的X射线衍射的衍射峰均与标准衍射图一致(JCPDS:653 325,立方晶系,a=0.567 8 nm),SEM图表明产物是分散较好的空心微球,微球直径为2μm,空心球壁厚为100 nm。并讨论了不同反应条件对产物的影响。