排序方式: 共有2条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1
1.
在典型有机空穴传输材料胺类衍生物NPB(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl) (1,1'-biphenyl)-4,4'diamine)中引入过渡金属氧化物MoO3制备了只有空穴传输的单载流子器件.结果表明:MoO3的引入明显提升了NPB的导电性能,在约2.0 V的外加电压下,100 nm厚纯NPB薄膜电流密度仅为1.28 mA/cm2,而同样厚度的掺杂薄膜NPB∶MoO3 (50 wt.%)电流密度达到了2 530 mA/cm2.同样掺杂比例的NPB∶MoO3薄膜吸收谱显示位于500 nm附近存在既不同于NPB也不同于MoO3的额外吸收峰,表明体系中产生了电荷转移复合物NPB+-MoO-3,从而产生了额外的空穴载流子,进而提升了掺杂体系的导电性能.进一步的荧光分析表明,MoO3的引入对NPB自身荧光具有明显的猝灭作用.NPB∶MoO3(30 wt.%)薄膜的荧光强度比纯NPB薄膜荧光强度降低了2个数量级,NPB∶MoO3 (50 wt.%)掺杂薄膜的荧光强度降低为零. 相似文献
2.
以典型有机半导体材料——胺类衍生物NPB(N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl)(1,1’-biphenyl)-4,4’diamine)为空穴传输层,采用MoO3为阳极缓冲层制备结构简单的只有空穴传输的单载流子器件.以空间电荷理论为基础,利用从器件电流-电压关系变换而来的一个特殊而简单的函数确定出电场强度在600~1 000V1/2cm-1/2时,NPB空穴迁移率位于1.1×10-5~3.5×10-4 cm2 V-1s-1,这与文献报导采用其他方法得到的结果接近,表明这是一种简单而有效的确定有机半导体载流子迁移率的方法,同时也表明MoO3为阳极缓冲层可在ITO/NPB间形成良好的欧姆接触. 相似文献
1