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由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致, 使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移, 很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法, 可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹, 实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明, 离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面, 从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。 相似文献
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张振 《湖南理工学院学报:自然科学版》2012,(1):50-52
由CMOS数字电路组成的农户家庭节水自动控制器,结构简单,动作可靠,适用于农户家庭经及城市高楼集中供水的自动控制,在保证正常供水的前提下,节水节电. 相似文献
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日志文件系统的主要设计思想是跟踪文件系统的变化,在日志节点中记录对文件所作的修改信息.FAT、JFFS、YAFFS等文件系统由于擦写频率过高,对闪存储介质的某些块造成较大的负担从而导致存芯片失效.文章设计的基于日志的闪存文件系统对存取采用的是追加模式,能很好地均衡读写频率,将该系统应用于嵌入式GIS系统,取得较好的效果,但在效率上还有待提高. 相似文献
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为了改善NAND闪存不耐擦写的特性,本文对传统的损耗均衡算法(HWL算法)进行优化,主要包括触发机制的优化和将现有的静态损耗均衡与动态损耗均衡策略相结合的优化策略.最后根据需求设计了评估损耗均衡算法效果的测试实验.结果表明:与当前算法相比,本优化算法展现了良好的磨损均衡效果,解决了NAND闪存不耐擦写的缺陷. 相似文献
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在研究NAND FLASH结构及特性的基础上,对NAND FLASH之上的FAT文件系统的实现进行了探讨,并运用了磨损均衡算法及坏块管理机制以延长FLASH的稳定性和使用寿命.实验结果表明,该系统具有较强的可靠性,所采用的磨损均衡算法及坏块管理机制简便有效. 相似文献
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针对在无人值守的工作环境下,数据存储系统由于数据量太大而发生溢出的现象,以K9K8G08U0A闪存为例,设计读、写、擦除基本的操作,引入非离散数据与离散数据的概念来标识需要存储的数据,利用数据回卷机制来存储数据,把存储空间分成坏块记录区、非离散数据存储区和离散数据存储区3部分,同时设计数据写入方式,确保每次写入的数据在离散履历区和非离散履历区均存在。设计结果表明:在达到离散存储区最大值时,将存储引向离散存储区的开始位置,使离散存储区变成首尾相连的闭合环,从而实现数据存储不溢出;针对数据回卷造成存储时间较早的数据部分或全部被覆盖,造成数据的不完整,采用数据反向分析的方法,通过比较相邻数据存储空间是否有交集来分解出正确的数据;使用数据回卷的存储机制,使存储空间变成一个"永远存不满的空间",确实保证了数据存储不溢出,保存了最新最近的数据。 相似文献
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王接枝 《上饶师范学院学报》2004,24(3):22-25
由TTL与非门构成的主从JK触发器在CP下降沿会出现输出状态异变,本文对这一问题进行了研究。 相似文献
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为提升NAND闪存使用寿命和存储性能,提出了一种基于双窗口的NAND闪存区管理算法DW-LRU。DW-LRU算法利用4个LRU链表来捕获访问次数和冷热特征,且根据访问新近度将页面分为了6类:冷干净页面、冷脏页面、旧热干净页面、非旧热干净页面、旧热脏页面、非旧热脏页面。算法在冷干净LRU链表上设置了一个静态窗口,避免最近写入缓存区中的冷干净页面被频繁置换出;在热脏LRU链表上设置了一个动态窗口,用来处理长时间没被访问的热脏页面。实验结果表明:与LRU、LRU-WSR、PR-LRU算法相比,DW-LRU算法缓冲区命中率平均提升了16.8%、12.3%、2.8%。DW-LRU算法可以提高缓冲区命中率,减少闪存写操作次数和算法运行时间。 相似文献
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谈学 《重庆工商大学学报(自然科学版)》1994,(3)
介绍了测量TTL反相器和CMOS反相器电压传输特性曲线的一种新方法。通过应用简单的数学函数关系式对示波器的x轴重新标定,将x轴代表的时间转换为输入电压。从而使TTL反相器和CMOS反相器的电压传输特性曲线能够在示波器荧光屏上形象而又直观地显示出来。 相似文献