熔凝玻璃膜钠离子迁移率测量及研究

本文提出利用IMA测量介质膜中可动离子漂移迁移率的新方法,并用该方法测量了熔凝玻璃膜中Na~+漂移迁移率,研究了Na~+迁移率与温度的关系。     

氢键链中孤子对外场的响应

以二分量孤子的振子模型为基础，讨论了质子子晶格与重离子子晶格中扭结孤子形成的孤子对的运动及其孤子对外场的响应持性，并得到了氢键链中孤子对的迁移率表达式。     

SO_2预放电参数的研究

本文采用脉冲漂移管-质谱仪方法研究了SF_6混合气体放电生成的SO_2气体的预放电参数,包括吸附系数、吸附速率、负离子迁移率、负离子种类和质量,并且测量了SO_2-O_2中不同负离子电流的变化关系.     

野战防空导弹武器系统综合机动性灰色关联度分析

本文应用灰色系统理论中关联度分析和模糊数学中隶属函数方法,对当前外军装备的九种主要低空近程野战防空导弹武器系统机动性进行分析、评判。其结果对野战防空导弹的论证、研制和使用均具有一定的参考价值。     

双Sine—Gordon势氢键分子链中孤子的运动

双Ｓｉｎｅ－Ｇｏｒｄｏｎ势氢键分子链模型可以同时描述离子型缺陷孤子和取向型缺陷孤子的协同运动。在此模型的基础上，利用能量分析方法研究这两类孤子在外场中的运动，并计算出它们的迁移率、散射截面和核化率。     

优化的RBF神经网络实现FAIMS分离电压温度补偿研究

针对高场非对称波形离子迁移谱仪(FAIMS)分离电压温度漂移造成的其物性表征的不确定性问题,提出了一种采用径向基函数(RBF)神经网络对分离电压进行温度补偿的方法。为了提高算法的实时性,加快函数逼近速度,采用指数下降惯性权重(EDIW)动量因子策略对RBF神经网络参数进行了优化。在20～120℃的温度范围内对该算法及线性下降惯性权重(LDIW)动量因子策略优化的RBF神经网络和传统RBF神经网络等3种补偿算法进行对比。结果表明,指数下降惯性权重动量因子策略优化的RBF神经网络模型具有更少的迭代次数和更短的运算耗时,使分离电压很好地保证了对特定物质离子表征的唯一性,同时验证了该模型还具有较强的泛化能力。对分离电压采用温度补偿的方法也为实现迁移管无恒温控制提供了理论依据。     

FAIMS分离电压的温度非线性误差建模与补偿

介绍了高场非对称波形离子迁移谱(FAIMS)技术的基本原理,从理论上分析了驱散电压与分离电压间的线性关系。在确定驱散电压的作用下实验研究了分离电压的温度非线性特性,采用二次曲面方程建立了常温下分离电压的温度漂移误差补偿模型。在22.8℃～27.8℃的温度补偿范围内测试,结果表明,该温度补偿模型对分离电压的温度漂移具有理想的补偿效果,在不同温度条件下实现了分离电压对特定物质离子表征的唯一性。同时,该补偿方法也为迁移管的无恒温控制系统的设计提供了理想的解决方案,简化了迁移管的结构设计。     

Thermoelectric properties of phase separated Ti substituted Zr_(0.75)Hf_(0.25)NiSn_(0.985)Sb_(0.015) half-Heuslers

Sb is a very effective dopant for ZrNiSn based half-Heusler alloys.The effect of Ti substitution on Zr_(0.75)Hf_(0.25)NiSn_(0.985)Sb_(0.015) half-Heusler(HH) semiconductor alloys has been investigated to explore the structural modifications and composition variation.TixHf_(0.25) Zr_(0.75-x)NiSn_(0.985)Sb_(0.015)(x=0,0.15,0.30,0.45) alloys were synthesized by induction melting.A set of samples was also annealed for comparative studies.The samples were then sintered using plasma activated sintering(PAS) technique.XRD results confirmed the existence of ZrNiSn type HH compounds.Backscattered electron(BSE) images showed phase separations in the samples.Ti substitution improved the carrier concentration and electrical conductivity of the alloys.Moreover,thermal conductivity was also significantly reduced due to the enhanced phonon scattering.Consequently,a ZT value of 1.11 at 873 K was obtained for 30% Ti substituted(annealed) sample.     

MOS器件的热载流子效应

热载流子效应产生的原因，首先是在沟道强电场中形成迁移率偏低的热载流子，然后由于碰撞电离而使热载流子大量增加。热电子和热空穴能够越过界面势垒向栅氧化层发射。进入栅氧化层的热载流子，或者穿透氧化层，或者造成随时间而增加的界面态，或者造成载流子陷阱。热电子或热空穴也可以受结电场的作用而进入衬底。抑制热载流子效应的方向，一是在沟道两侧制作轻掺杂区，以降低沟道电场强度；二是对栅氧化层进行氮化处理和提高氧化温度，以改善氧化层的质量，增强抗热载流子效应的能力。     

一种变压器绝缘性参数自动测量系统的设计

本文介绍了用微机（ＭＣＳ－５１）控制的变压器绝缘性能参数测试设备中的微机控制部分的软硬件设计。文中提出了本系统设计的背景、思想、以及实现的软、硬件设计方法和预计达到的测试结果等。