Preparation of organic thin-film field effect transistor

The organic thin-film field effect transistor was prepared through vacuum deposition by using teflon as di-electric material. Indium-tin-oxide acted as the source and drain electrodes. Copper phthalocyanine and teflon were used as the semiconductor layer and dielectric layer, respectively. The gate electrode was made of Ag. The channel length between the source and drain was 50 μm. After preparing the source and drain electrodes by lithography, the copper phthalocyanine layer, teflon layer and Ag layerwere prepared by vacuum deposition sequentially. The field effect electron mobility of the device reached 1.1×10ˉ6 cm2/(V@s), and the on/off current ratio reached 500.     

不同类型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应损伤机制

文章研究了双极晶体管不同温度的低剂量率辐射损伤增强效应，发现NPN晶体管与PNP晶体管的低剂量率辐射损伤机翻是不相同的．最后文章讨论了其中可能的内在机制。     

低能量氩离子束轰击改善双极型晶体管的噪声特性

在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后，采用低能量氩离子束轰击芯片背面，能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数。实验结果表明，晶体管低频噪声系数的下降与硅-二氧化硅界面的界面态密度的减小有关，而其高频噪声系数的下降是特征频率和电流放大系数增加的结果。     

基于生物光敏蛋白细菌视紫红质膜的光子晶体管的模型

生物光色材料细菌视紫红质（ｂＲ）分子的光循环具有两个主要光活性态－基态Ｂ（５６８ｎｍ）和最稳中间态Ｍ（４１２ｎｍ）。用它们吸收带波长的光照射ｂＲ将分别引起分子的异构（Ｂ→Ｍ）和复构（Ｍ→Ｂ）光反应。本文首先研究了化学增强ｂＲ膜的互补调制饱和吸收，即多光束照射引起Ｂ、Ｍ各态粒子数比例变化，多光束之间互补调制输出光强。研究发现，当５６８ｎｍ和４１２ｎｍ双光束同时入射长Ｍ态寿命的ｂＲ膜时，存在阈值光强Ｉ     

未知掺杂MOS结构少子产生寿命空间分布研究

本文采用线性扫描法测定未知掺杂ＭＯＳ结构少子产生寿命空间分布，结果表明，本方法是简单准确的。     

Bi2Ti2O7薄膜的制备及在栅场效应管中的应用

采用化学溶液沉积法，用价格低廉的原料成功地制备了Bi₂Ti₂O₇介质膜.制膜过程简单，成本低廉，得到的薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数.用其制备的绝缘栅场效应管与相同尺寸的SiO₂绝缘栅场效应管相比，前者具有较高的跨导和较低的开启电压.     

AT89C51单片机控制的恒温水域温控系统

针对化工早期接点温度计恒温水域控温存在的缺点，本文介绍了一种基于AT89C51单片机为主控制器，结合AD590J集成温度传感器等组成的恒温水域温控系统。     

一种EEPROM存储单元的读出电流检测电路

针对电可擦除编程存储器(EEPROM)存储单元的读出电流需要被精确检测的问题,该文提出了一种对EEP-ROM存储单元进行工作电流检测的电路,该电路主要用电流镜来搭建,和读出电路中的灵敏放大器相连。在检测时用电流镜电路把灵放的读出电流镜像到电流检测的输出端。模拟结果显示,用这种检测电路来检测读出电流可以取得较高的精度(98.5%)。同时,电路本身结构简单,在实际中易实现。     

基于图像信息相关性的质量评价方法

图像质量评价是图像工程的重要内容之一,在图像通信过程中起着举足轻重的作用。评价方法一般来说可分为客观质量评价方法和主观评价方法。文中分析了传统的MSE和MOS图像质量评价方法及其一些缺点,在分析图像信息和相关性理论基础之上,通过对基于结构失真的图像质量评价方法的深入分析,提出了一种对结构失真评价方法进行改进的图像质量评价方法,实验证明所提出的改进方法与人的主观视觉质量具有一致性。     

一种新型的BCD工艺栅驱动集成电路

分析了高压栅极驱动集成电路热耗散产生的原因和隔离技术的特点,研制出一种新型的700VBCD工艺栅驱动集成电路.通过减小LDMOS电流和开启时间降低芯片高速工作时的发热量,配合电路设计调整了BCD工艺,解决了高功耗和地线浮动等制约其发展和应用的难题.仿真和测试结果表明,该集成电路工作在1MHz,400V时,总功耗仅为0.4W.