聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制

一种聚酰亚胺薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功，这是一个ｎ沟道增强型器件，具有曲折栅结构；沟道长约１０μｍ，宽〉８００μｍ，栅区绝缘层厚约３００ｎｍ（ＳｉＯ２＋Ｓｉ３Ｎ４）；一个Ａｕ－ＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上，本文报道该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结构设计；工作原理和主要性能并对某些有关问题进行了初步讨论。     

微波单片集成电路及其发展趋势

讨论了微波集成电路的发展过程，特点，材料和元件，它的设计，制造，应用以及国内ＭＭＩＣ发展概况。     

未知掺杂MOS结构少子产生寿命空间分布研究

本文采用线性扫描法测定未知掺杂ＭＯＳ结构少子产生寿命空间分布，结果表明，本方法是简单准确的。     

基于图像信息相关性的质量评价方法

图像质量评价是图像工程的重要内容之一,在图像通信过程中起着举足轻重的作用。评价方法一般来说可分为客观质量评价方法和主观评价方法。文中分析了传统的MSE和MOS图像质量评价方法及其一些缺点,在分析图像信息和相关性理论基础之上,通过对基于结构失真的图像质量评价方法的深入分析,提出了一种对结构失真评价方法进行改进的图像质量评价方法,实验证明所提出的改进方法与人的主观视觉质量具有一致性。     

一种新型的BCD工艺栅驱动集成电路

分析了高压栅极驱动集成电路热耗散产生的原因和隔离技术的特点,研制出一种新型的700VBCD工艺栅驱动集成电路.通过减小LDMOS电流和开启时间降低芯片高速工作时的发热量,配合电路设计调整了BCD工艺,解决了高功耗和地线浮动等制约其发展和应用的难题.仿真和测试结果表明,该集成电路工作在1MHz,400V时,总功耗仅为0.4W.     

多输入端运算跨导放大器电路结构研究

提出多输入端运算跨导放大器的两种CMOS电路结构。对结构特点和设计原则作了对比分析;对设计实例电路提供了SPICE程序模拟结果。     

新型全集成连续时间低通滤波器

本文首先介绍用MOS场效应管、电容和运算放大器构成的新型GIC、模拟电感、FDNR、FDNC等有源元件电路,这些电路以著名的Riordan电路为基础,采用4个匹配的MOSFET结构达到传输特性的线性化。其次,对梯形RLC低通原型进行RLC-CRD变换,并运用嵌入法构成新型的全集成连续时间低通滤波器。     

MOS器件的热载流子效应

热载流子效应产生的原因，首先是在沟道强电场中形成迁移率偏低的热载流子，然后由于碰撞电离而使热载流子大量增加。热电子和热空穴能够越过界面势垒向栅氧化层发射。进入栅氧化层的热载流子，或者穿透氧化层，或者造成随时间而增加的界面态，或者造成载流子陷阱。热电子或热空穴也可以受结电场的作用而进入衬底。抑制热载流子效应的方向，一是在沟道两侧制作轻掺杂区，以降低沟道电场强度；二是对栅氧化层进行氮化处理和提高氧化温度，以改善氧化层的质量，增强抗热载流子效应的能力。     

MOS集成运放的应用

介绍了MOS集成运放的几个应用实例及其应用特点