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1.
2.
4.
指出半导体器件是敏感器件,其表面处理工艺非常重要;结合工艺非常重要,结合工艺实践中遇到的问题,依据理论,分析了表面处理工艺对3AK32型高可靠晶体管主要参数的影响.总结了一些经过大量实验而取得的一些经验和做法. 相似文献
5.
讨论了工艺过程中产生的界面态陷阱电荷Q(it)对高频MOS-CV特性线的形变规律,提出了一种沿电压方向形变的数据处理方法,以此算出Q(it)密度在禁带中的分布,并对常规高频CV法的测量误差作了讨论和修正,由于数据的采集和处理可以由微机完成,使这种方法变得简便、准确并易于在工艺线上推广使用。 相似文献
6.
本文将离子敏感场效应晶体管(ISFET)与药物敏感膜相结合,研制成一种药物敏感场效应晶体管传感器(DrugFET)。用四苯硼钠为电活性物质,邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂,制成pvc膜,对烟碱的线性范围为1.0×10-2~2.0×10-5mol/L,斜率为57.5mv/pc,适宜pH范围为5.5~8.0,检出限为1.0×10-6mol/L。用该传感器分析烟草中烟碱的含量,结果和分光光度法相一致。 相似文献
7.
在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。 相似文献
8.
目前,美国科学家正在对一种新型晶体管进行微调。这种晶体管的计算速度大约是现有技术的10倍。美国国立桑迪亚实验所的科学家们正在研制的这种晶体管,既可用于计算机和蜂窝电话,又可用于探测微量有毒物质的卫星和传感器。特粒华大学的保罗·伯杰在对联邦科研小组的工作进行评审以后 相似文献
9.
谢茂浓 《四川大学学报(自然科学版)》1998,35(3):372-377
利用2MV电子静电加速器,研究了热氧化工艺与SiO2-Si结构的电子辐射效应和辐射损伤机制。结果表明,高能电子辐照SiO2-Si结构引起的MOS电容平带电压漂移ΔVfb与SiO2膜厚dox^2成正比。由P型硅为衬底或掺氯氧化的SiO2-Si结构对电子辐射较敏感;而由磷处理或干N2热退火的SiO2-Si结构能有效地降低对电子辐射的敏感性。 相似文献
10.
采用一维有限差分方法,对生长在Si(001)衬底上的Si1-xGex应变基区异质结双极晶体管(HBT)的直流特性进行了数值分析,给出了高斯掺杂情形下,基区中不同Ge分布的Si1-xGexHBT的共射极电流放大系数图、Gum-mel图和平衡能带图;与Si双极同质结晶体管(BJT)的直流特性作了对比,结果表明基区中Ge的引入有效地改善了晶体管的直流性能;其次对基区中Ge分布与p型杂质在基区-集电区交界处的不一致进行了模拟,证实了基区杂质向集电区扩散产生的寄生势垒使集电极电流密度下降这一实验结果. 相似文献