微波单片集成电路及其发展趋势

讨论了微波集成电路的发展过程，特点，材料和元件，它的设计，制造，应用以及国内ＭＭＩＣ发展概况。     

GaAs MMIC开关MESFET电路建模技术研究

基于Agilent公司的IC—CAP软件及GaAs圆片工艺加工线，研究了砷化镓微波毫米波单片集成电路（GaAsM—MMIC）开关MESFET电路建模技术及其应用。讨论了MMIC设计中电路建模技术的重要性，提出了高精度GaAs MMIC开关MESF田简化电路模型及不同栅宽模型参数的比例缩放方案，扩展了电路模型的应用频率范围，解决了电路模型参数提取中的关键问题，如：开关MESFET模型的版图设计、微波探针校准图形的设计、电路模型参数的提取、统计和确认。采用该技术提取的电路模型参数，成功研制出GaAs MMIC控制电路系列产品，验证了该方法的有效性。     

一种快速有效提取微波场效应管模型参数的新方法

本文介绍了一种在大的微波系统优化中非常有效的方法——分离法.本文是将总的优化问题化为一系列子优化问题,在每个子优化问题中都用电路响应最灵敏的参数组成目标函数.这样就大大地提高了优化的精度和效率.本文运用分离法的基本原理自编了灵敏度分析程序MICSEN,并利用自编的优化程序MICBFGS,成功地提取了微波场效应管模型参数,其精度比传统方法大为提高,计算时间亦大大缩短.     

汽车防撞雷达概述

介绍了汽车防撞雷达的工作原理、基本组成,总结了国内外在该领域的发展情况,阐述了汽车防撞雷达今后的发展趋势。     

MMIC MGA-87563在低噪声放大器LNA中的应用

本文介绍了在低噪声放大器LNA中使用的芯片MMICMGA-87563的特征、电路结构。通过对MMICMGA-87563噪声指数及增益的分析,来改善LNA的性能。使得在接收端接收到微弱信号时,能不受噪声干扰而进行放大、传送到下一级。这样就提高了信号传输的可靠性。     

宽带GaAs MMIC功率放大器的设计

概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术。介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况。该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺制作,在3~6GHz频段内饱和输出功率达到3W,功率增益大于23dB,输入、输出驻波比均小于2.5:1,效率为18~25%。     

GaAs MMIC钝化层介质Si3N4的可靠性评价

在斜坡电压应力条件下对GaAsMMIC介质层Si3N4的击穿特性进行了测试,探讨了电容面积、周长以及斜率对与时间有关的介质击穿（TDDB）特性的影响．实验结果表明,电容面积越大,周长越长,介质中的缺陷就越多,其击穿电压也就越低,可靠性越差．根据TDDB线性电场模型,采用不同斜率的斜坡电压应力测试数据预测了正常工作电压下的Si3N4寿命．与温度加速实验相比,文中所提方法快速、成本低廉．     

基于GaAs pHEMT 2.5~4.3 GHz驱动功率放大器芯片设计

为了实现低噪声、高线性度、中功率的指标特性,设计了一款基于GaAs pHEMT工艺的2.5~4.3 GHz驱动功率放大器（power amplifier,PA）,该PA设计采用共源共栅级驱动共源极放大器的双级放大结构,其中共源共栅级驱动放大器可实现良好的隔离度,采用负反馈技术实现输入阻抗匹配和级间阻抗匹配,选取共源极放大器实现高线性度指标。经过流片加工后,实测结果显示,该PA在2.5~4.3 GHz频段可实现25.5±1 dB小信号增益,可以满足5G无线通信系统中Sub-6G频段的典型驱动功率放大器的指标要求,具有广泛的市场应用前景。     

被动毫米波成像系统的关键技术

毫米波对大气具有良好的穿透性并能提供较好的角分辨率,毫米波成像技术越来越受到人们的重视。文章在叙述被动毫米波成像原理及其系统结构的基础上,提出了被动毫米波成像的关键技术,分析了毫米波接收器的主要技术参数,指出了应用MMIC(毫米波单片集成电路)技术实现毫米波接收器的重要性。     

混合谱域法分析微屏蔽线交调特性

应用改进的混合谱域法研究了微屏蔽线的交调特性。给出了计算公式及数值计算结果,并将结果与微带线进行了比较。结果表明微屏蔽线具有极低的交调干扰,非常适用于高集成度的单微波集成电路。