ITO透明半导体膜的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。     

新型SINP硅蓝紫光电池的研究

本研究中,采用以下主要步骤:先在p-型Si的绒面上,进行磷扩散形成同质p-n结,再低温热氧化生长超薄SiO2层,然后利用射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜,成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构蓝紫光电池.通过X-光衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见光透射谱(UV-VIS),以及霍尔效应(Halleffect)测量方法,表征了高质量ITO薄膜的微结构、光学与电学特性.并重点对SINP结构光电池的光谱响应和I-V特性,进行了详细地计算和分析.结果表明,具有蓝紫光以及其它可见光波段的光谱响应和光电转换的增强效果,是该器件的主要特征.其较高的短路电流密度,适合于发展成为新型结构的硅基太阳能电池.     

ITO纳米粉制备及表面修饰研究

以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为原料,采用共沉淀法制备ITO纳米粉,并对其进行表面修饰.辅助TG-DSC、FT-IR、XRD、SEM、EDS和TEM等测试方法,研究确定了适宜的制备和表面修饰工艺条件.结果表明所制ITO纳米粉具有立方晶系结构、颗粒均匀、分散性良好、与基体相容、平均粒径为20nm左右.     

真空蒸发法制备聚酯衬底ITO透时导电膜及其光电特性

采用真空反应蒸发技术，在聚酯薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的结构和光电特性及制备条件薄膜性能的影响进行了研究。     

用硫酸处理ITO表面改善有机发光二极管的发光效率

用硫酸溶液处理ITO表面制备了有机电致发光器件,发现随着溶液浓度和超声时间的不同,器件的效率也发生变化.当硫酸的浓度是98%且超声时间为10 min时,OLED具有最高的效率及较大的亮度,器件的效率提高了近4倍.通过扫描电镜对ITO表面形貌进行了对比分析,可以看到,经过处理的ITO玻璃表面的粗糙度明显降低,提高了有机膜的附着力,从而改善了器件的效率.     

ITO电极图案自动检测系统的总体设计

介绍了一种基于规则的ITO (透明导电薄膜 )电极图案的自动检测系统 ,检测过程主要分为两个步骤 ,第一阶段是对图像进行预处理和图像标记 ,第二阶段根据特定的知识和规则对图像进行学习检测 .并着重讨论了系统的软件组成及实现原理     

大尺寸氧化铟锡(ITO)靶材制备研究进展

氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)靶材是屏幕显示器、光伏电池、功能玻璃等领域的关键原材料之一,已朝着大尺寸(长度至少600 mm)、高密度、低电阻率和高使用率的方向发展。本文介绍了高性能ITO靶材的技术特征,分析了大尺寸ITO靶材的需求和镀膜优势,总结了大尺寸ITO靶材的成型、烧结工艺及其研究应用现状,最后提出了制备大尺寸ITO靶材的研究方向。     

ITO电极上催化伏安法测定锇联吡啶的研究

合成了电子转移介体锇联吡啶Os(bpy)3,采用催化伏安法研究了Os(bpy)3在ITO电极上的电化学行为,并对Os(bpy)3在葡萄糖-葡萄糖氧化酶体系中的催化反应动力学常数进行了测定。Os(bpy)3的均相反应速率常数KS为2.07×10-2cm/s,催化反应中一级反应速率常Kf为1.05×10-3s-1,二级反应速率常数Kmed为1.57×104L/(mol.s)。并采用催化伏安法测定Os(bpy)3的检出限为为0.016μmol/L。因此,Os(bpy)3作为电化学标记物,能够用于生物传感器的构建。     

电子束法沉积 ITO 透明导电膜的研究

论述了ＩＴＯ膜的导电机理及生长机理,讨论了电子束加热真空蒸镀ＩＴＯ膜的方法中,膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ＩＴＯ膜光电性能的影响．在选择合适的工艺条件下制备ＩＴＯ膜,电阻率约４×１０－４Ω·ｃｍ,可见光范围内平均透过率高于９０％．     

基于田口法的在玻璃基板上溅射ITO薄膜制作工艺研究

利用射频磁控溅射方式将氧化铟锡(ITO)沉积在玻璃基板上,设定温度、压力、溅射功率为主要参数,每个参数均有3个水平,运用田口实验方法设计L9直交表,质量目标设定为方阻,以变异数分析得到的结果作为最优工艺参数条件,并测量膜厚、透光率.以X光衍射仪分析结晶状况、SEM观察结构及生长型态来了解其性质.结果显示功率对方阻的影响最大,贡献度占91%,而功率大,薄膜厚度越厚,晶粒粒径较大,结晶性较强,方阻减小及透过率降低.由于结晶性好也提高透光率,膜厚100~300 nm时,透光率80%以上.最优工艺参数为温度230 ℃、功率300 W及压力在1.5 mTorr下有方阻最小.