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1.
绕线式异步电动机转子斩波串级调速系统的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
为了克服传统串级调速系统功率因数低的缺点,提出了一种新型斩波式串级调速方案,该方案利用整流桥和IGCT构成直流斩波电路来连续无级改变电机转速,同时介绍了一种新型电力半导体器件-集成门极换向晶闸管(IGCT)的特性和工作原理. 这种方法线路简单,对系统功率因数的改善也很有效.  相似文献   
2.
在不同的应用领域,由于较大的功率和较高的频率冲击,对半导体器件的要求有很多情况下是矛盾的,因而单一器件无法解决这一矛盾。尽管过去和今后的器件类型很多,但今后的开关器件在600V以上的场合应用时,无外乎两三种:IGBT,IGCT和GTO。  相似文献   
3.
新型大功率半导体开关器件IGCT及其在煤矿中的应用前景   总被引:2,自引:0,他引:2  
IGCT是一种新的理想的中压大功率半导体开关器件,它具有高电压、大电流、低导通损耗、高开关频率、易于串联等优点,因此适用于中压变频,在煤矿具有广泛的应用前景。  相似文献   
4.
The development status of the variable speed system of large power AC(alternating current)motor drive in China is introduced.The large power AC drive fed by AC-AC converters(cycloconverters)has developed greatly,and some innovations on the theory and engineering technique have been realized.They have been applied to rolling mills,mine hoists,and so on,and remarkable economic and social benefit has been achieved.The development of AC drive fed by large power IGCT(integrated gate commutated thyristors)AC-DC-AC converter is also introduced.It has excellent performance and reliable operation,and has been used in traction.  相似文献   
5.
基于三电平中点箝位逆变器的高压变频调速器   总被引:9,自引:0,他引:9  
针对目前工业应用中对高压大容量变频调速装置的迫切需求,设计并实现了一种基于集成门极换向晶闸管(IGCT)器件的新型6kV/1800kVA高压变频调速器。其中交流输入侧采用移相变压器隔离的24脉冲整流电路以保证输入侧功率因数大于0.96;中间直流环节直流电压为10kV;逆变部分采用三电平中点箝位(NPC)电压型逆变器,并采用2只4.5kV的IGCT器件串联运行,逆变器输出线电压为6kV。NPC逆变器采用变频特定消谐脉冲宽度调制(SHE-PWM),且输出采用LC滤波器来减小dv/dt及谐波畸变率。装置采用IGCT作为电子开关取代传统的快速熔断器进行快速的桥臂过电流保护。装置试验表明这种高压变频器具有很好的性能及可靠性。  相似文献   
6.
分析了集成门极换向型晶闸管(IGCT)的透明阳极相对于传统阳极的特点,并进行了数值模拟,利用有限差分法求解电子电流密度方程、空穴电流密度方程、载流子连续性方程和泊松方程的联立方程组,得了透明阳极的发射效率随电子电流密度增大而增大的变化关系,透明阳极的种特点使得IGCT在大电流关断时能够迅速地排出过剩的载流子,保证了关断时的均匀性,简化甚至消除了吸收电路,使得IGCT在中电压、大功率场合具有广泛的用途。  相似文献   
7.
新型功率半导体器件——IGCT性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
在介绍传统GTO性能的基础上对集成门极可换向型晶闸管IGCT的性能进行了研究。IGCT具有传统的GTO和IGBT的某些优点,适合于中电压大功率应用领域。  相似文献   
8.
新型功率半导体器件IGCT的核心技术   总被引:1,自引:1,他引:1  
在目前的中电压大功率应用领域,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管,GTO和IGBT等,这些传统的功率器件在产用方面都存在一些缺陷,ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件-IGCT,它具有大电流、高电压、开关频率高、高可靠性,结构紧凑,低损耗的特点,在性能上明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件,本文对IGCT器件及其工作原理进行简单介绍,并着重对四项核心技术;缓冲层,透明阳极,逆导和集成门极技术,以及它们对器件性能的改善进行阐述。  相似文献   
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