量子霍耳效应探讨

本文从线性响应理论的久保公式出发，用正则系综求统计平均的方法，导出了整数量子霍耳电导。从而解释了整数量子霍耳效应。     

霍耳效应实验分析

对霍耳效应测量磁感应强度的实验原理作了分析,讨论了外界定向干扰磁场对实验的影响、指出在实验教学中,相邻霍耳效应测量仪摆放距离宜大于等于2.5m才能忽略相互干扰.     

浅谈磁电式与霍尔式速度传感器在汽车上的区别

文章针对应用较广的磁电式传感器和霍尔式传感器展开论述，分别介绍了两者的工作原理和区别。     

一种同步转速状态测定方法及其实现

提出一种同步转速状态测定方法．基于该方法设计了采用霍尔传感器的单片机测量系统．实现了对双螺旋推进器的转速和瞬时相差的准确测量,解决了无法预报“碰撞”现象的难题     

霍尔器件构成的速度检测器

介绍一种由霍尔器件和频率电压转换器构成的速度传感器。该传感器具有较高的灵敏度，结构简单，所需的驱动力矩小。采用了频率与电压的转换，所带来的误差小，并且既可用于控制模拟电压装置，亦可用正比于速度的脉冲数控制数控装置。     

分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能

采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26 meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似.     

反应离子刻蚀剥层的微分霍耳法表征超浅pn结

用反应离子刻蚀(RIE)剥层的微分霍耳法(DHE)对等离子体掺杂、离子注入制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品RIE剥层的DHE测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用反应离子刻蚀(RIE)剥层的DHE测试获得的杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,DHE具有良好的可控性与重复性.测试杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达nm量级.     

利用霍尔元件测量空心铜管的线膨胀系数

膨胀系数用于表征固体材料的物理属性,具有广泛的科研和实践意义.为了减少物理量的测量个数、提高测量精度,根据霍尔元件在梯度磁场中的位移与霍尔电压的线性关系,提出了一种新的利用霍尔元件测量空心铜管线膨胀系数的实验方法.通过该方法测得一定温度范围内（20.6℃-70.6℃）空心铜管的线膨胀系数为1.6747×10-5/℃,与理论值1.67×10-5/℃相比,相对误差仅为0.27％,表明该测量方法具有较好的理论与实际应用价值.     

量子霍尔电阻作为电阻自然基准的研究

本文介绍了量子霍尔效应（ＱＨＥ）作为电阻自然基准的前景．并研制了一种量子霍尔电阻（ＱＨＲ）的测量系统，在４．２Ｋ的温度下对ＱＨＲ进行了精密测量，测试了多个ＧａＡｓ－ＡｌＧａＡｓ异质结的ＱＨＲ，其量值为２５８１２．８４６Ω，测量不确定度约为１×１０－６。     

霍耳测量中的新效应

用霍耳效应法测量磁场，观察到了一种新效应，即当霍耳电极不恰好处在同一等位线上时，磁阻效应对不等位电压也有贡献，从而影响到磁场测量的准确度。提出了一种克服这一困难的新方法．