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提出一种改进的基于人体静电冲击模型(Human Body Model, HBM)应力的瞬态功率模型。利用HSPICE仿真软件, 模拟MOS管遭受的HBM应力, 得到对应的等效直流电压。HBM电路的预充电电压与MOS管对应的等效直流电压值的散点图表明, 两者保持线性关系, 并通过拉普拉斯变化得到证明。与现有的瞬态功率模型相比, 改进后的模型降低了在HBM应力作用下的计算复杂度, 可以更加简便地从统计学上预测MOS管栅氧击穿的发生, 给HBM冲击作用下MOS管栅氧化层可靠性的评估提供参考。 相似文献
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关于GCNMOS的ESD保护电路的HBM的分析测试 总被引:1,自引:1,他引:0
静电放电(electrostatic discharge,ESD)是造成大多数的集成电路(integrated circuits,ICs)或电子系统受到过度电性应力(electrical overstress,EOS)破坏的主要原因。而HBM(human boby model)是ESD破坏IC的最常见的一种方式.因此要在IC中加入相关的保护电路,对一种GCNMOS(gate-couple NMOS)的保护电路进行详细的分析与测试。 相似文献
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分析了静电放电(ESD)保护的基本原理,指出了传统的用于模拟电路的ESD保护电路在高速电路应用中的局限性,提出了在端口的栅极接地NMOS管和栅极接电源PMOS管的基础上,加上电源与地之间的高速静电泻放回路(片上保护)的新电路结构,仿真结果表明,该电路满足USB2.0高速接口电路的ESD保护要求,试验测试结果表明该ESD保护电路在人体模式下的击穿电压在正负2500V以上,具有实际的应用意义。 相似文献
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