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1.
在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。 相似文献
2.
3.
微波单片集成电路及其发展趋势 总被引:3,自引:0,他引:3
讨论了微波集成电路的发展过程,特点,材料和元件,它的设计,制造,应用以及国内MMIC发展概况。 相似文献
4.
实验采用光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结界面的光跃迁进行了观察,在光子能量略低于GaAs带边的地方,光生电压谱出现了一个峰,通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响,指出该谱峰对应着界面处电子从GaAs价带顶跃迁至ZnSe导带底的过程,表明ZnSe/GaAs异质结的能带排列属于错开型,并得出在温度小于70K的低温下ZnSe/GaAs异质结导带偏移值为150meV± 相似文献
5.
6.
尤立星 《中国科学:技术科学》2014,(3):370-388
超导纳米线单光子探测技术自2001年出现以来,已经成为超导电子学领域的一个热点研究方向.作为一种新型的单光子探测技术,其具有探测效率高、暗计数低、时间抖动小、计数率高、响应频谱宽、电路简单等优势,综合性能在近红外波段已经明显超越传统的半导体探测技术,成为一种主流的单光子探测技术.本文从应用基础角度出发,对超导纳米线单光子探测器件的材料、器件工艺、性能、系统集成以及前沿应用等进行介绍,并对国际上该领域研究未来的发展趋势进行探讨. 相似文献
7.
采用单一前驱体溶剂热法,在聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作表面活性剂条件下,成功合成了ZnS纳米线束.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外变换吸收光谱及光致发光测试对样品的结构、形貌及物理性能进行了分析与表征.结果表明,所得产物为纯的六面体纤维锌矿ZnS纳米线束,直径在20~30 nm,长度为1.5~2.0μm,并对ZnS纳米线束的形成机理进行了探讨. 相似文献
8.
采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26 meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似. 相似文献
9.
对4种电连接纳米线通常使用的方法进行了比较.这些方法包括:(i)采用微机械手现场操作把纳米线放置于预制备的电极上;(ii)离子与电子束辅助沉积;(iii)电子束曝光以及(iv)丢落投掷到预制备的电极上.主要基于产出量、接触电阻、制备难易程度以及进一步形成新器件和结构的可能性等方面进行了细致讨论. 相似文献
10.
对GaAs光电阴极激活过程中各阶段做了X射线光电子谱(XPS)表面分析,根据XPS分析所得数据,改进了激活工艺,提出了获得更好发射性能的光电阴极的最佳Cs和O2量,并提出了Cs和O2在GaAs表面排列的模型. 相似文献