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分析了电源与地之间ESD保护电路的必要性,研究用于电源和地之间GCNMOS(栅极耦合NMOS)结构ESD保护电路的工作原理,在此基础上提出了一个相应的版图设计,仿真结果显示该结构的ESD失效电压达到了3 kV. 相似文献
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关于GCNMOS的ESD保护电路的HBM的分析测试 总被引：1，自引：1，他引：0
静电放电(electrostatic discharge,ESD)是造成大多数的集成电路(integrated circuits,ICs)或电子系统受到过度电性应力(electrical overstress,EOS)破坏的主要原因。而HBM(human boby model)是ESD破坏IC的最常见的一种方式．因此要在IC中加入相关的保护电路,对一种GCNMOS(gate-couple NMOS)的保护电路进行详细的分析与测试。 相似文献
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