掺杂聚乙炔导电机理研究

本文以多烯(17个碳原子)模拟反式聚乙炔链,位于两个多烯链平面之间的钠原子为掺杂剂,用 CNDO/2方法讨论了掺杂聚乙炔的微观导电机理,尝试并分析了用轨道理论的离域方法处理定域问题的具体方法.在我们的计算方法及计算范围内、负电孤子借助于钠原子在两链间跃迂。在低量掺杂情况下,参考链上孤子的存在对这种跃迂起辅助作用;电荷密度、原子轨道布居、能量分割及沿分子轨道形状等的结果同样支持了这一结论.     

螯合法合成掺杂尖晶石型锂锰氧化物及其电化学性能研究

用螯舍法合成出掺杂镍和氯的尖晶石锂锰氧化物LixMn2-xNixO4-yCly。用能谱和原子吸收光谱分析测试了合成的样品的组成。分析了材料的电化学性能、FT—IR和XRD特性。结果表明：与没有掺杂的锂锰氧化物相比，掺杂量适当的样品其初始放电容量大，循环性能好，且在4．6～4．8V的电压平台较长。这归结于镍离子替换了部分处于16d的锰离子，使结构趋于更加稳定。     

BaCe0．7Zr0．1Y0．2O3－δ的合成、电学性能和化学稳定性

采用溶胶凝胶法合成了质子导体BaCe0．7Zr0．1Y0．2O3－δ（BCZY71）纳米粉体,研究了干凝胶到最终钙钛矿结构的转变过程,BCZY71陶瓷块体的电学性能和化学稳定性能。DTA－TG、IR、XRD结果表明经过三个热失重过程可以得到钙钛矿结构的BCZY71样品,1100℃焙烧2h以后可以得到正交相的BCZY71纳米粉末,经过1450℃烧结5h可以得到BCZY71陶瓷块体,BCZY71陶瓷块体的导电行为符合Arrhenius方程,活化能为0．67eV。BCZY71陶瓷块体化学稳定性能显示在100％C02气氛800℃下焙烧2h晶体结构没有发生变化,但是在沸水中煮沸12h以后,大部分钙钛矿结构的BCZY71转变为BaCO3。     

掺杂钕介孔分子筛MCM-41的合成及表征

以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为表面活性剂,正硅酸乙酯（TEOS）为硅源,采用水热晶化法,合成了钕掺杂的MCM-41介孔分子筛.通过X射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外（FT-IR）光谱、透射电镜（TEM）等测试手段对其孔结构和钕原子的存在状态进行了表征.XRD和TEM结果表明,合成样品具有典型的二维六方有序介孔结构,样品的傅里叶变换红外光谱表明钕被成功的引入到介孔骨架中.     

掺杂钨丝的再结晶组织特征

本工作利用透射电子显微镜研究了两种丝径不同的掺杂钨丝的再结晶组织特征,0.4mm的钨丝在2100℃退火状态下呈现不均匀再结晶,而1.25mm的钨丝却强烈地反映出钾泡阻碍晶界迁移和对位错的钉扎作用。作者指出:在研究0.4mm以下掺杂钨丝的再结晶行为时,钾泡的分布状态固然重要,但还应着重研究深度拉拔在纤维组织和织构方面对延缓再结晶过程的作用。对这个问题的深入研究,有利于寻求合理的工艺参数。     

非磁性/磁性掺杂剂对SnO2体系的性能调控

本文通过第一性原理计算在GGA + U 框架下系统地研究了非磁性掺杂剂(Li)和磁性掺杂剂(V)以及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2基稀磁半导体(DMS)的稳定性、电子结构、键合性质、磁性以及光学性质. 计算得到的形成能结果表明, V元素单掺杂体系比Li元素单掺杂体系更稳定. 其中, VO存在的掺杂体系稳定性更高, 而VSn对掺杂体系的稳定性不利. 磁性分析表明, Li掺杂体系的磁矩大于V掺杂体系的磁矩. 当有点缺陷存在时, VSn的加入显著提高了掺杂体系的磁性, 而VO对非磁性金属元素/磁性金属元素掺杂体系的磁性影响不同：当VO存在于Li掺杂体系时, Li原子周围的O原子自旋极化减少, 因此导致磁矩降低;当V掺杂体系中有VO存在, 磁性不仅来源于V原子的自旋极化, 同时来源于VO周围的O原子的自旋极化,因此磁矩增大. 结合电子结构分析可知, Li掺杂体系的磁性是由O-p和Li-p轨道之间的双交换作用产生的, V掺杂体系的磁性是由O-p和V-d轨道之间的双交换作用产生的. 键合分析发现VO的存在可以提高两种金属掺杂体系键(Li-O和V-O)的共价性. 在可见光区域内, Sn15LiO32和Sn15VO32具有较高的光学透明度. 以上这些结果为非磁性金属元素(Li)和磁性金属元素(V)及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2在自旋电子器件中的应用提供了新的思路.     

掺杂的有机薄膜电致发光

用DCM染料和香豆素染料掺杂,成功地实现了有机薄膜电致发光颜色的改变,得到了从蓝绿到红色的发光,同时提高了器件的发光亮度,用不同区域掺杂方法,分析讨论了电致发光的机理,探讨了激子的产生区域和复合区域。     

掺杂硅酸铋晶体的生长及样品加工

介绍了提拉法生长高质量掺杂硅酸铋Bi12SiO20（BSO）晶体的主要设备、仪器与工艺条件，并在实验的基础上，分析了BSO晶体在加工过程中开裂的原因，并提出了解决的办法。     

轻掺杂漏LDD MOSFET的工艺及特性

对LDD MOSFET的两种形成技术——侧向刻蚀和边墙技术进行了分析和比较,证明了边墙技术对控制轻掺杂区域长度具有更高的精确性;同时,利用边墙技术和全离子注入工艺,在硅栅NMOS工艺基础上,成功地制得了1μm沟道长度的LDD MOSFET.测试结果表明,LDD MOSFET击穿电压高于常规MOSFET 3V以上,同时阈值电压的短沟效应明显减小.这些优点意味着LDD MOSFET结构在VLSI中有着广泛的应用前景.     

掺杂钨绞丝再结晶行为对真空喷镀用绞丝螺圈寿命的影响

本文通过对φ0.65mm WAI-1丝的再结晶行为的研究,发现钨绞丝螺圈组织性能的不均匀性和内应力极大地影响着绞丝的再结晶行为,从而缩短了钨绞丝螺圈的使用寿命。实验表明,在一定条件下经过再结晶退火的螺圈钨纹丝,能形成长宽比大的燕尾搭接的晶粒结构,使钨绞丝具有优良的高温抗蠕变性能,从而提高螺圈的使用寿命1.5倍。