ZEZ—2型智能癌肿治疗仪原理与设计

ＺＥＺ－２型智能癌肿治疗仪治疗癌肿,是基于电化学治疗肿瘤的机理。与其它电化学癌肿治疗仪相比,该仪器具有治疗路数多,阳极可控稳流,阴极自动均流,整个治疗过程自动管理等特点,是一种能满足临床应用需要的新型治疗仪器。     

评加扎里《精巧机械装置的知识》

加扎里的《精巧机械装置的知识》一书在中世纪阿拉伯机械史研究中具有重要意义。书中叙述了六大类共50种他所设计的自动机械装置的制作方法和工作流程。在肯定本书对于机械装置制作工艺的严谨和详细描述以外,同时探讨阿拉伯自动机械设计风格中突出强调娱乐性的特点。     

非特定语音识别技术在现代家居控制系统中的应用

该文介绍了语音识别技术的基本原理,以现代智能家居为背景,将非特定语音识别技术应用于智能家居控制系统中。通过非特定人语音识别技术,该系统能够正确地识别出人的语音控制命令,进行家电设备的智能语音控制,实现家电设备控制的智能化、便捷化。     

采用DMA技术高速采集摄像CCD输出信号

本文介绍一种用DMA(直接存储器存取)控制器构成的高速微型机数据采集系统,它既可用来采集摄像CCD(电荷耦合器件)输出信号,也可用来采集其它外部设备的高速数据。该系统的特点在于数据的传送不需要经过CPU“中转”,传送速度快,而且结构简单,可靠性好,应用灵活,性能价格比高。     

梅文鼎《远西奇器图说录最》注研究

《远西奇器图说录最》是系统介绍欧洲力学知识的第一部中文著作,为19世纪中期中国学者了解西方相关知识的主要来源。梅文鼎也曾研究该书,并发表了相关著述。以新发现含梅文鼎注文的《奇器图说》抄本为主要资料,探讨梅氏对欧洲力学知识的理解程度、他关注的力学问题的内容以及他注解的特点和方式。此外,还比较梅文鼎与荷兰力学家斯蒂文证明力学问题的方法及方式,以展现中、西学者力学研究和表述方式的异同。     

面向工控联网设备的安全管理技术

针对工业控制系统中智能化、网络化设备存在的漏洞威胁,展开面向工业控制联网设备的安全管理关键技术研究。联网设备类型的识别是后续获取设备详细信息和漏洞管理的关键,针对无法准确识别人机接口问题,提出一种结合通信长度和周期性特征的设备识别方法;此外,考虑工控漏洞库规模逐步扩大,提出一种多级索引信息匹配的漏洞检索方法。最后,本文结合联网设备的网络特性、业务特点及安全需求,设计一套适用于工业控制联网设备的安全管理系统。实验结果表明本文所提方法在设备类型识别准确性与漏洞检索方面性能有明显改善。     

立足国家重大需求，探索科技成果转化新模式——以中国科学院对医疗器械产业成果转化模式的探究为例

医疗器械科技成果产业化是医药产业发展的核心环节。但是在我国医疗行业中仍存在科技成果转化率不高的问题,因此促进和加速科技成果产业化,已经成为我国科技政策的新趋势。鉴于此,中科院苏州生物医学工程技术研究所积极探索适合我国医疗器械科技成果转化的新模式,力图以机制创新加快推动医疗器械的产业化发展,增加研究所在科研成果转化方面的收益,推动地方产业发展。目前已经取得良好成效,对我国医疗器械的科技成果的转化与产业化有重要促进作用。     

设备间综合布线系统架构的探究

综合布线系统就是采用了高质量的标准材料，以模块化的组合方式，把语音、数据、图像和部分控制信号系统用统一的传输媒介进行综合，经过统一的规划设计，综合在一套标准的布线系统中，将现代建筑的三大子系统有机地连接起来，为现代建筑的系统集成提供了物理介质。本章将介绍设备间综合布线系统架构等知识。     

基于线阵CCD红外焦距仪研究

研究一种红外焦距测量仪，用相应波长的红外光照明，采用玻罗板狭缝代替细丝，将线阵CCD探测器置于被透镜的像面上接收信号，实现了红外光学系统透镜焦距的测量。     

Earth-abundant photovoltaic semiconductor NaSbS_2 in the rocksalt-derived structure:A first-principles study

NaSbS_2 was recently proposed as a novel photovoltaic semiconductor with earth-abundant component elements,but its fundamental material properties have not been well studied.The systematical first-principles calculations for its electronic,optical and defect properties were carried out in the present study,and the results show that:i)NaSbS_2 in the rocksalt-derived structure has a quasi-direct band gap and thus may have long minority carrier lifetime;ii) its absorption coefficients are as high as 10~4～10~5 cm~(-1) for the visible light and almost isotropic despite that the structure is distorted relative to the high-symmetry rocksalt structure;iii) the effective masses of the electron and hole carriers are anisotropic with much larger values along the z direction than in the x-y plane,and hence the orientational control of thin films should be important for enhancing the photovoltaic performance;iv) the valence and conduction band edges of NaSbS_2 are close to those of CuGaSe_2) so the n-CdS/pCuGaSe_2 device structure can be inherited to form the n-CdS/p-NaSbS_2 solar cells;v) the acceptor defects (Na_(Sb)antisites and Na vacancies) have very high concentration,making the synthesized NaSbS_2 always be p-type;vi)the S-rich condition can suppress the formation of deep-level donor defects (S vacancies and Sb_(Na) antisites) and therefore should be adopted for fabricating high-efficiency NaSbS_2 solar cells.