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VUMOSFET是一种新型功率器件,它一个很重要的优点是它特有的沟槽结构减小了器件的寄生电容,而寄生电容的充放电过程是限制VUMOSFET开关速度的主要因素,本文剖析了VUMOSFET主要寄生电容的结构并给出计算公式,通过公式可以定量的减小寄生电容,从而降低开关时间,减少功率损耗,对设计具有指导作用． 相似文献
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