电化学原子层外延及Te,CD元素欠电势沉积研究

阐述了一种处延沉积化合物半导体的新方法－电化学原子层外延（ＥＣＡＬＥ）并对其基础欠电势沉积（ＵＰＤ）进行了讨论,着重研究了Ⅱ,Ⅳ族元素Ｃｄ,Ｔｅ的电化学欠电势沉积,根据电化学循环伏安曲线,研究了Ｔｅ和Ｃｄ在Ｓｉ－Ａｕ（１１１）基片上以及交替生长过程中ＵＰＤ沉积电位及相应覆盖度值,由此确定了在Ｓｉ－Ａｕ（１１１）衬底上交替沉积Ｔｅ,Ｃｄ原子层的方法,在此基础上,初步进行了多次交替沉积,并用ＡＦＭ与Ａ     

串联电阻对CdS/CdTe太阳电池稳定性的影响

在温度循环下对CdS／CdTe太阳电池的性能作了研究，测定了其I-V特性曲线，计算了串联电阻和并联电阻．结果表明：经温度循环后，串联电阻增加，并联电阻下降，导致转换效率下降，用ZnTe作背接触层可改善电池性能和其稳定性．     

CdTe/ZnS 量子点荧光可逆调控研究ctDNA 与吡柔比星的相互作用

水相合成了谷胱甘肽修饰的CdTe/ZnS 量子点(GSH-CdTe/ZnS QDs). 从原子力显微镜照片可以看出, 合成的核壳型GSH-CdTe/ZnS QDs 具有良好的分散性. 当吡柔比星与GSH-CdTe/ZnS QDs 相互作用时, 吡柔比星吸附在GSH-CdTe/ZnS QDs 的表面, 通过光诱导电子转移的方式猝灭GSH-CdTe/ZnS QDs 的荧光. 然后向GSH-CdTe/ZnS QDs-吡柔比星体系中加入ctDNA, 吡柔比星从GSH-CdTe/ZnS QDs 表面脱落后嵌入ctDNA 双螺旋结构中, 光诱导电子转移过程被阻断, GSH-CdTe/ZnS QDs 的荧光恢复. 根据GSH-CdTe/ZnSQDs 荧光的猝灭和恢复, 实现了量子点荧光的可逆调控. 结合共振瑞利散射和紫外吸收光谱, 讨论了GSH-CdTe/ZnS QDs 吡柔比星-ctDNA 的相互作用机理, 建立了一种研究蒽醌类抗癌药物与核酸相互作用的光谱方法.     

CdTe:Fe2+中远红外光谱的动态阳-泰勒效应

用一个基于线性阳泰勒效应的理论计算来处理Fe2 离子在CdTe中的远红外光谱;;并且考虑了来自配体Te的自旋轨道耦合对远红外光谱的贡献.计算结果不仅与远红外光谱的实验符合;;还与中子散射数据符合.最近研究中发现的CdTe:Fe2 中配体Te自旋轨道耦合的重要贡献在此得到证实.     

水溶性硅包CdTe量子点的合成方法研究

本研究成功地合成了水溶性CdTe量子点(QDs).考察温度对回流时间、荧光强度及粒径大小等因素的影响,实验优化合成条件之后确定最佳反应温度为105 ℃.接着,本研究运用改进后的Stober法更为简易地合成了硅包CdTe量子点复合微球,该微球的粒径可通过改变正硅酸乙酯及水的含量控制在160~260 nm之间,同时根据复合微粒的电镜拍摄图初步探讨了SiO₂在CdTe表面的生长模式.为了将来能运用到生物检测中,此实验加入3-氨基丙基三乙氧基硅烷（APTS）,引入氨基团,并优化了 APTS 加入时间,得到的粒子表面氨基含量最高.这种复合微粒具有与原来量子点相当的量子产率,同时具有良好的水溶性、胶体稳定性、化学反应性,为量子点作为荧光标记物的应用打下了基础.     

浅谈CdTe薄膜的制备方法及掺杂改性研究

Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物碲化镉(CdTe)因其具有良好的光电性质,而成为制备高效率、低成本的多晶薄膜太阳电池理想的吸收层材料。广泛的应用其制备是前提,CdTe薄膜的制备方法较多,主要有:CSS法(closed-space sublimation,近距离升华);电沉积(ED)法;溅射法;喷涂法和真空蒸发法等。采用不同的制备技术对CdTe薄膜样品的结构与性质有较大差异,本文研究了CdTe薄膜的结构特性,比较制备工艺较成熟且效率较高的常用方法的优缺点,并系统讨论了CdTe薄膜的掺杂改性研究。     

Preparation of Electrospun CdSe-Quantum-Dots-Doped Porous Films

Electrospun porous films doped with the green-synthesized CdSe quantum dots were synthesized. Glycerol was chosen to prepare the quantum dots （ QDs）, with the highest quantum yield of 78.28%. Polycaprolactone （PCL） was electrospun with CdSe QDs to avoid the QDs＇ toxicity and improve the QDs＇ cytocompatibility. The electrospun QDs-doped films preserve the original QDs＇ fluorescence. Pores can be detected from the SEM of the films, predicting the possibility of loading drugs in the cancer therapy. The cell proliferation assay shows excellent cytocompatibility of the eletrospun CdSe-QDs-doped films. The present eletrospun CdSe- QDs-doped porous films are cytocompatibale, highly-fluorescent and ootential to load drugs in cancer therapy.     

硫化镉量子点的可控制备及荧光性能研究

采用溶剂热法,以Cd(NO3)2·4H2O和升华硫为镉、硫来源,油胺为反应溶剂和表面活性剂,制备了硫化镉量子点(CdS QDs),并研究了反应温度、反应时间对硫化镉量子点尺寸的影响.通过X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对所制备产物的结构和形貌进行了表征.结果表明,所制备的硫化镉量子点结晶度较高,单分散性好,尺寸均一.通过紫外可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱(PL)表征了硫化镉量子点随反应温度和时间的变化,结果发现,随反应温度的升高和反应时间的延长,其吸收峰出现了明显的红移,即通过控制反应温度和时间可以控制硫化镉量子点的尺寸和发光颜色.     

Te自助熔剂定向凝固法生长CdTe晶体

碲化镉(CdTe)晶体是一种制造室温X射线和γ射线探测器最为理想的半导体材料,在医学、食品、安检、核废料监测等应用领域前景广阔。采用一种Te自助溶剂定向凝固技术生长CdTe晶体,在区熔温场及坩埚旋转系统的综合作用下,获得了平坦状的理想固液界面形貌。生长?25 mm的CdTe晶体横截面单晶区域面积可达70%,从?56 mm的CdTe晶体中可截取尺寸达15 mm×15 mm×3 mm的单晶,电学测试表明CdTe晶体在未掺杂改性条件下电阻率达10~8Ω·cm。红外透射显示,CdTe晶体中包含尺寸范围为1～20μm的Te夹杂,这是CdTe单晶生长过程中出现的主要微观缺陷。该工作取得的相关成果对未来CdTe晶体生长技术发展具有一定参考价值和借鉴意义。     

CdTe/CdS量子点荧光探针测定痕量汞(Ⅱ)

在水溶液中合成巯基乙酸修饰的CdTe/CdS量子点(QDs),再基于Hg2+与CdTe/CdS量子点的荧光猝灭作用,建立用CdTe/CdS量子点作为荧光探针检测微量汞的新方法,并用该方法测定水中汞的含量。研究表明,pH值为6.24的磷酸缓冲溶液中,量子点浓度为3.75×10-4mol/L时,Hg2+离子浓度在2.3～150μg/L范围与CdTe/CdS量子点荧光猝灭强度呈良好的线性关系,相关系数为0.9985,检出限为0.87μg/L,回收率为99.0%～107.5%。该方法检测效果好,可用于实际样品分析。