纳米Fe3O4/BaTiO3复合体系的微波吸收特性

研究了纳米Fe3O4和BaTiO4及其复合体系在2～18GHz频率范围内的微波吸收性能，并分析了其吸收机制以及复合组分对吸波性能的影响。研究结果表明，通过调节材料组分可调节电磁参数及吸收峰的位置，复合体系的有效吸收频带较单一材料的吸附频带变宽。单一组分的纳米Fe3O4和PaTiO3都有2个吸收峰。在复合体系中，多个吸收峰发生重叠。这2种材料的微波吸收能力随电磁波频率的变化而规律不同，当频率低于14GHz时，PaTiO3的吸收能力大于Fe3O4的吸收能力；当频率高于14GHz时，Fe3O4的吸收能力大于BaTiO3的吸收能力。因此，将这2种材料复合，产生协同效应，材料的整体吸收能办提高，有效吸收频带拓宽。当样品的厚度为2mm，Fe3O4与BaTiO3的质量比为3：2时，反射率为10dB的有效频宽可达2．7GHz；当Fe3O4与BaTiO3的质量比为2：3时，反射率为10dB的有效频宽可达4GHz。     

纳米晶BaTiO3湿敏元件研制

用硬酯酸法制备纳米晶钛酸钡材料，并制成湿敏元件，可用于全湿范围，灵敏度较高．纳米晶的粒径尺寸影响湿敏元件的电阻．掺入某些杂质如Ｎａ２ＣＯ３可以改善元件的湿敏特性     

锶锆共掺杂对钛酸钡陶瓷结构和介电性质的影响

采用固相反应法制备了(Ba0.85 Sr0.15)(Ti1-xZrx)O3(x=0.10,0.15,0.20,0.25)陶瓷.通过X射线粉末衍射、介电温谱测试和电子顺磁共振技术对其进行了结构表征、介电性能评价和杂质定性检测.结果表明:(Ba0.85 Sr0.15)(Ti1-xZrx)O3陶瓷显示平均立方钙钛矿结构,随着...     

钛酸钡纳米粉体的制备及表征

利用草酸盐共沉淀法合成BaTiO3纳米粉体,通过XRD分析、DTA-TG分析、IR分析及TEM形貌分析等分析手段,对制得的粉体进行了表征和测试,结果表明合成的BaTiO3粉体为单纯的立方相,粒径均匀,颗粒大小在30 nm左右,无严重的团聚现象.     

铌、铈、锰掺杂对钛酸钡基陶瓷性能的影响

在钛酸钡中以五氧化二铌、三氧化二铈形式引入铌、铈元素,采用了固相法反应制备Nb、Ce双施主掺杂的微米级钛酸钡基正温度系数(PTC)陶瓷粉;同时研究了加入受主元素Mn对PTC陶瓷材料性能的影响。利用XRD和SEM分析了样品的物相及微观相貌,发现样品结晶完整,颗粒均匀。实验表明,以Ce、Nb、Mn进行掺杂可有效改善材料在室温条件下的PTC性能;当掺入0.2 mol%Nb_2O_5、0.3 mol%Ce_2O_3、0.08 mol%Mn(NO_3)_2时,制出室温电阻率为616Ω·cm、升阻比大于10、居里温度为60℃的PTC热敏陶瓷;并利用制成的PTC材料作为加热源对受控器件进行加热实验。     

新型CO_2气敏元件的研究

利用纳米技术和半导化技术,制备了ＣｕＯＢａＴｉＯ３ 复合氧化物电子陶瓷电容型ＣＯ２ 气敏元件,该元件可用于环境中ＣＯ２ 气体的监测．该元件在１２７ ～４７７ ℃范围,对ＣＯ２ 气体呈现较好的敏感特性;可测气体浓度范围０ ～９５ ％（ 体积分数,下同）,在低浓度范围（０～５％ ）内,电容与浓度呈线性关系;能经受高浓度ＣＯ２ 气流的冲击,有较快的响应恢复速度;重现性和选择性较好;是一种很有发展前途的ＣＯ２ 气敏元件．     

BaTiO3纳米晶的制备和表征

以硬脂酸、氢氧化钡和钛酸四丁酯为原料,用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法合成了纳米级ＢａＴｉＯ３。在空气中以高于６００℃的几个不同温度下焙烧凝得到不同粒径的纳米晶,用ＩＲ、ＤＴＡ表征了从前体到凝胶、凝胶到结晶的转变过程。ＢａＴｉＯ３纳米晶样品通过ＴＥＭ考察其粒度和形貌,用粒度分布测定仪测试其粒径分布并与ＴＥＭ的结果比较,由ＸＲＤ表征其晶相。     

粘合剂PVA对制造PTC粉体的影响

在制造PTC粉体和器件时,粘合剂PVA加入BaTiO3浆料进行喷雾造粒,通过对浆料和粉体性能的测定,发现PVA加入量、迁移对浆料的粘度和粉体的松装密度、粒径及粒度分布均有影响,并且研究了PVA的粘结作用.选择合适的PVA加入BaTiO3浆料中,通过喷雾造粒,可制得颗粒形状呈球形且粒径分布合适、流动性好、松装密度恒定的PTC粉体.     

Mn掺杂对BaTiO3体系介电性能的影响

采用氧化物混合方法制备以BaTiO3为基础的X7R陶瓷材料。研究了添加剂Mn的添加量对体系介电性能的影响，并对微观结构进行分析。Mn的加入起到了助熔剂的作用，提高陶瓷的介电常数。Mn离子在2＋和3＋之间变价，可以减少缺陷的数量，因而减小tanδ，满足EIAX7R标准的要求。实验表明，添加0．046wt％MnCO3的BaTiO3体系，具有最优的介电性能。其主要工艺条件和性能参数为：烧结温度1240℃保温6h，在1kHz下ε≈5800，tanδ≤1．5％，介电常数温度变化率-15％〈△ε／ε〈15％，绝缘电阻率：ρv≥1×10^12Ω．cm。