反铁磁光子晶体波导的性质

研究了平面反铁磁光子晶体波导的色散性质.这种光子晶体波导是由两个平行金属板之间填充一维反铁磁光子晶体构成.对FeF2/Vacuum光子晶体波导进行数值和理论分析表明:(1)电磁波模式是分立的,并且只有有限的几个;(2)存在三种不同的频率带隙,其中之一是光子晶体共有的,其宽度取决材料的介电性质,之二是来自反铁磁的共振性质,之三是来自波导的结构.     

Ising自旋(s=1)一种反铁磁超晶格的基态

本文使用文献的方法,计算了Ising模型、(s=1)一种反铁磁超晶格的基态能,并给出了几种典型情况下的相图。     

Spintronic materials and devices based on antiferromagnetic metals

In this paper, we review our recent experimental developments on antiferromagnet (AFM) spintronics mainly comprising Mn-based noncollinear AFM metals. IrMn-based tunnel junctions and Hall devices have been investigated to explore the manipulation of AFM moments by magnetic fields, ferromagnetic materials and electric fields. Room-temperature tunneling anisotropic magnetoresistance based on IrMn as well as FeMn has been successfully achieved, and electrical control of the AFM exchange spring is realized by adopting ionic liquid. In addition, promising spin-orbit effects in AFM as well as spin transfer via AFM spin waves reported by different groups have also been reviewed, indicating that the AFM can serve as an efficient spin current source. To explore the crucial role of AFM acting as efficient generators, transmitters, and detectors of spin currents is an emerging topic in the field of magnetism today. AFM metals are now ready to join the rapidly developing fields of basic and applied spintronics, enriching this area of solid-state physics and microelectronics.     

反铁磁薄膜中的二次谐波生成

近年来反铁磁体的非线性效应包括二阶和三阶效应受到很多关注.介绍反铁磁薄膜和反铁磁光子晶体等反铁磁体系的二次谐波生成,以及这些研究的背景和最新进展.提出了进一步研究反铁磁三明治结构中的二次谐波生成的可能性.     

一维反铁磁的高斯模型

利用求严格解和坐标空间重正化群两种方法,研究了只考虑近邻相互作用的一维反铁磁高斯模型,发现一维反铁磁高斯系统同一维铁磁高斯系统一样,也存在有限大小温度的相变,利用傅里叶变换的方法计算出了严格的配分函数,进而求出了系统的自由能,由自由能函数的奇异点,得到了系统的临界温度．应用坐标空间重正化群和自旋重标相结合的方法求出了系统的临界温度,得到了与严格计算相同的结果．     

反铁磁薄膜磁极化子的色散性质

研究当外场平行于反铁磁薄膜（d=500um）的各向异性轴时，其体极化子和表面极化子的色散性质．在外场的作用下体极化子由原来的两个窗口分裂成三个窗口；表面极化子也由原来的一个窗口分裂成两个窗口并且仍然满足互易性．     

低维量子XY模型的键算符平均理论

应用键算符表象方法,在平均场近似下研究了自旋1／2量子XY模型的基 态性质。模型建立在平面四方晶格上,形成纵列dimer结构、Dimer内两自旋之间的反铁磁相互作用为J,dimer之间的反铁磁相互作用在x方向和y方向上分别为J2和J1。给出了系统关于J2和J1的无序－有序转变相图,计算了无序相下系统的基态能、自旋隙,以及x方向和y方向上的相干长度。我们发现自旋隙出现在激发谱中的（0,π）点。一维XY链（J2－J,J1＝0）具有自旋隙,△＝0．165J,与利用自旋格林函数同阶退耦方法所得结果一致。要消除这一自旋隙,链之间的耦合强度至少为J1Cr=0.043J。一维链的相干长度为3．51,平均单自旋基态能为－0．321J。一维XY自旋梯（J1＝J,J2＝0）也同样具有自旋隙,△＝0．167J,比Heisenberg自旋梯的自旋隙0．5J小^1.3,当梯之间的人耦合强度达到J1Cr＝0．061J时,自旋隙消失。自旋梯的相干长度为5．97,平均单自旋基态能为－0．466J,比Heisenberg自旋梯的平均单自旋基态能－0．578J大^1.3。当J2＝J1时,系统开始无自旋隙的临界值为J1Cr=J2C=0．24J,比Heisenberg系统无自旋隙的临界值0．635J小。