安培力及其特点的分析

通过对安培力特点的分析，给出一种判断载流线回受安培力作用时线圈运动或形变总趋势的一般结论．     

一般区域上的抛物型Monge-Ampère方程

通过先验估计的方法，证明了一般光滑区域上抛物型Monge-Ampere方程第一边值问题古典解的存在性．     

安培环路定理的表述及其证明方法

安培环路定理是稳恒磁场性质的重要方程,它反映了磁感应线的特点:磁感应强度沿磁感应线的环路积分不等于零.有些教科书中对该定理叙述不准确,造成求解电流产生磁场的问题中出现某些错误.本文对安培环路定理给以准确的说明和详细的论证.     

基于相对论对安培环路定理的证明

从运动电场的相对论效应出发,用微积分方法证明了安培环路定理,比较简洁全面,易于理解.适合于电磁学课程教学中应用.     

安培环路定理适用条件的论证

通过对安培环路定理的一般证明,明确安培环路定理的适用条件,并给出安培定理完整的表述。     

洛仑兹力与安培力关系问题的讨论

文中以金属导电的电子论为基础，详尽讨论了导体相对磁场静止、运动等各种情况下的洛仑兹力与安培力的关系问题，进而从安培力作功与洛仑兹力不作功指出其联系与区别。     

麦克斯韦方程组的研究

库伦电场强度E＆（=q＆／4丌Er。）与外电源的直流电场强度E大不相同。麦克斯韦方程组由四个方程式组成，其中divD=10和curlH=．厂＋aD／at中的D是不相同的。前者为库伦电位移D4（一g4／4ar。），它与电介质的电容率￡无关；后者仅仅为真空媒质中的电通密度D。（=e。E），它与非稳态外直流电源的脉动电场成份有关。把两种不同的D和D。不加区分地捏合在一起，统一用D来表示是不妥的。此方程组的内在矛盾仍然直接影响着如何来定义当代的（绝对）电容率。（绝对）电容率的定义是根椐D=匝呢？还是D自=eE。当代（绝对）电容率的定义需要修改。divD=p和curlH=．，＋aD／at也需要分别找到它们自身应有的表达式。     

对安培力微观机制的看法

本文认为安培力是组成导体的运动的电子和正离子所受的洛伦兹力的宏观表现,而形成安培力的根本内因是:导体内存在的把电子和正离子结合为导体的力场。并认为从普通物理教学角度来讲,所谓传统看法比最近提出的引入霍耳电场等新观点更可取。     

导体中运动电荷洛仑兹力功的宏观意义

从定量的角度,分析导体中运动电荷洛仑兹力的两个分量做功的宏观物理意义．     

电磁感应现象中的安培力做功与磁能

电磁感应总伴有安培力做功.电磁感应现象是能量转换的过程.