AgX光致变色机理及其在聚合物中的应用

简单介绍了AgX作为光致变色材料的光致变色机理和其在聚合物中的一些应用方法。     

AgX（X=F,Cl,Br）与HC≡CH间非共价相互作用的理论研究

用密度泛函方法（DFT）,在B3LYP/6-311＋ ＋g（d,p）的理论水平上计算研究了AgX与HC≡CH中碳碳三键间的非共价相互作用.计算结果显示：复合物中Ag -X的键长缩短,伸缩振动频率变大,会发生蓝移；AgX与HC≡CH间非共价相互作用能按照F,Cl,Br的顺序依次减小,即,AgF…HC≡CH＞ AgCl… HC≡CH＞ AgBr…HC≡ CH.由AIM理论分析可知,Ag与碳碳三键之间有一个临界点,而且▽2p（r） ＞0,表明AgX与乙炔（HC≡CH）中的碳碳三键间存在偏离子性的银键.进一步的NBO理论分析表明,AgX与HC≡CH之间的电荷转移对这种π型银键的形成起重要作用.     

双扩散模板法制备卤化银纳米线及其光催化性能

在室温条件下,通过溶液的双扩散法于AAO模板中制备AgX纳米线,利用XRD,SEM和TEM等分析手段对纳米线进行了表征,结果表明,用该方法合成的AgX纳米线阵列分布均匀,取向性极好,直径50nm,与AAO模板的孔径一致.通过纳米线阵列膜对罗丹明B的降解情况对其光催化活性进行了测试,结果表明AgX纳米线具有良好的光催化性能.     

掺杂Ir盐的立方体AgCl微晶中光电子的衰减特性

电子陷阱掺杂剂通过改变卤化银微晶的内部结构来影响光电子寿命和填隙银离子行为,从而能有效地改善卤化银感光性能。本文主要介绍采用微波吸收介电谱检测技术,检测在立方体AgCl微晶中30％Ag位置处掺杂(NH4)4IrCl6的光电子衰减时间分辨特性,结果表明：[IrCl6]^4。原子团引入的掺杂中心起较深电子陷阱的作用。通过对室温条件下光电子衰减随掺杂浓度变化关系的分析得出：掺杂(NH4)4IrCl6浓度越小,光电子衰减时间越长,对潜影形成所起的作用越大,掺杂效果越好。