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1.
用复阻抗的方法研究了低温烧结Bi取代钇铁石榴石的电性质.采用固相反应制备多晶钇铁石榴石陶瓷Y2BiFe5O12(YIG∶Bi)和Y3Fe5O12(YIG).采用X射线衍射衍射(XRD)表征粉末及陶瓷样品的相组成,结果表明,Bi取代可以显著降低钇铁石榴石的成相温度和烧结温度.复阻抗谱分析表明,YIG∶Bi样品的复阻抗谱表现为两个Cole-Cole半圆,其低频半圆和高频半圆分别对应高直流电阻的晶界和低直流电阻的晶粒的电响应,物理结构可以用由串联的两个RC回路组成的等效电路来表示;而YIG样品的复阻抗谱只有一个对应为晶界电响应的半圆,其等效电路为一个RC回路.电阻随温度的变化表明,材料的导电机制符合Arrhenius规律,为半导体型的热激活过程. 相似文献
2.
3.
首次合成了镧(La)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、钆(Gd)的果糖-高氯酸固体配合物以及La,Pr,Nd,Sm,Gd和Eu(铕)的硼酸-果糖配合物.利用化学分析,IR,1HNMR,UV和热谱等物理化学手段对这两系列共11个配合物的组成和成键情况进行了表征,并对它们的某些物理化学性质进行了研究.结果表明:稀土-果糖-高氯酸配合物的组成为:RE3(C6H11O6)5(OH)2(ClO4)23H2O(RE=La,Pr,Nd,Sm,Gd);稀土-果糖-硼酸配合物的组成为:RE(C6H12O8B)2Cl2CH3OH,(RE=La,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd). 相似文献
4.
以异丙醇铝和Y(NO3)3为主要原料,用溶胶-凝胶法制备掺杂钇的无支撑Al2O3膜,采用XRD、DTA-TG、BET等测试手段分析钇的掺杂对Al2O3膜的物相组成、热稳定性、以及Al2O3膜孔结构在不同煅烧温度时的影响.研究结果表明:掺杂钇能提高γ-Al2O3相向α-Al2O3相的转变温度和Al2O3膜的热稳定性.钇的掺杂也明显了改善了Al2O3膜在高温煅烧中的孔结构参数. 相似文献
5.
近年来微量钇的测试方法已有报道[1,2],但其他稀土元素,干扰严重,本研究以氯化三锌基甲基铵(以下简称TOMA·Cl)的二甲苯溶液为萃取剂,在HBr-KSCN体系中萃取、分离并以光度法测其含量,提高了选择性和灵敏度,与以往方法相比显著的降低了萃取剂的浓度.本法桑德尔灵敏度为6×10-4μg cm2,萃取相比为Vω V0=20,钇在1-10μg 25mL范围内,符合朗伯———比尔定律. 相似文献
6.
钇稳定的二氧化锆(YSZ)的导电性能分析 总被引:1,自引:0,他引:1
从钇稳定的二氧化锆(YSZ)晶体结构中可能存在的氧空位跃迁类型,分析了钇稳定的二氧化锆(YSZ)的导电率随着钇掺入量增加有一个最大值的原因。 相似文献
7.
研究了偶氮氯磷-mA作显色剂,采用全光谱技术(付立叶域主组份分析)同时测定钐和钇。设计了两个名为SPAFA和SPFPCA的程序来进行计算。根据八个误差函数来推断因子数目。实验结果显示,本法对严重重叠的光谱是令人满意的。 相似文献
8.
高氯酸铽、六氟磷酸铽与二苯基亚砜、苯丁基亚砜配合物的发光 总被引:1,自引:1,他引:1
合成了Tb(DPSO)6·(ClO4)3、Tb(DPSO)7·(PF6)3及Tb(PBSO)6·(ClO4)3配合物(DPSO为二苯基亚砜PBSO为苯丁基亚砜).在室温下测定了它们的固体粉末荧光激发和发射光谱,结果表明Tb(DPSO)6·(ClO4)3配合物中Tb3+的发光强度最高,其中5D4→7F5跃迁谱带强度高达806.2cd,Tb(DPSO)7(PF6)3配合物中Tb3+发光强度次之,Tb(PBSO)6(ClO4)3配合物中Tb3+的发光强度最弱.这说明二苯亚砜做为配体受激后向Tb3+离子传递能量的效率高于苯丁基亚砜,另外ClO4-做为阴离子也可增加Tb3+的发光强度,原因是部分外界ClO4-离子可进入内界参予配位,降低了配合物的对称性,部分解除了跃迁禁律,提高了Tb3+的发光强度. 相似文献
9.
合成了高氯酸钐二苯亚砜Sm(DPSO)7·(ClO4)3、六氟磷酸钐二苯亚砜Sm(DPSO)7(PF6)3、高氯酸钐苯丁基亚砜Sm(PBSO)7·(ClO4)3三个配合物.测定了配合物的组成、摩尔电导及粉晶荧光激发和发射光谱.荧光光谱测定结果表明:Sm(DPSO)7(ClO4)3的发光强度最高,其中4G5/2→6H7/2谱带强度高达119.3cd.这说明DPSO二苯亚砜作为配体受激发后将能量传递给Sm3+使其敏化发光的能力高于苯了基亚砜.另外在一定的条件下阴离子ClO可以增强Sm3+的发光性能. 相似文献
10.
阐述了L—S耦合情况下的Monte—Carlo理论模型.在局域热动平衡条件下,用Monte—Carlo模型模拟Hf等离子体复杂光谱的部分光谱:类钇铪的光谱,其主要方法是:由统计方法计算出类钇铪等离子体的4d^3—d^26p束缚束缚跃迁的跃迁阵的谱线数目,从高斯分布中随机确定每条谱线的能量。再根据L—S耦合时能量与强度的关系来确定每条谱线的强度,从而模拟未分辨跃迁阵Hf^33 4d^3—d^26p的光谱线。 相似文献