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1.
《江汉大学学报(自然科学版)》2015,(6):496-500
利用荧光光谱法研究了温度和浓度对聚苯乙烯(polystyrene,PS)荧光特性的影响。研究表明,PS在四氢呋喃溶液中有2个荧光发射波长:334、345 nm,并且荧光强度随着温度的升高而升高,原因可能是溶剂效应限制了PS分子链的运动,使分子间碰撞的几率减少。另外随着溶液浓度的增加,PS的荧光强度逐渐下降,其原因可能是当溶液处于较高浓度时,分子之间的相互作用增大,PS二聚体的形成导致发生荧光淬灭现象。 相似文献
2.
LIZe ZOUJunfeng LUYingying KEYucai ZHOUNai HUYouliang 《科学通报(英文版)》2003,48(2):1230-1233
A novel synthetic route used for preparing PP-g-PS was designed. With this synthetic route, a series of graft copolymers with different contents of PS chain were synthesized successfully, and characterized by ^13C-NMR,DSC, GPC. 相似文献
3.
低碳调质高强度钢中添加硼对焊接冷裂敏感性的影响较少有人研究,并存在两种不同意见.本文对含硼量分别为0.005%,0.0014%,0.0028%,0.0035%的12Ni3CrMoV调质高强度钢焊接冷裂敏感性进行研究.试验结果表明:1.插销试验临界应力:含硼钢比无硼钢(含硼0.0005%)高;含硼钢中,临界应力按含硼量0.0014%,0.0028%,0.0035%的顺序递减.2.扫描电镜断口分析:无硼钢有沿晶断裂区、准介理断裂区和韧窝断裂区.含硼钢没有沿晶断裂区,只有准介理断裂区和韧窝断裂区.3.焊条未烘干时,无硼和含硼钢的插销临界应力都降低,无硼钢沿晶断裂区扩大,含硼钢仍无沿晶断裂区.4.硼在HAZ粗晶区中沿奥氏体晶界形成偏聚带,硼相主要沿奥氏体晶界呈不连续点状析出.含硼愈多,沿奥氏体晶界偏聚和硼相析出也愈多.5.C.D.Beachem提出的断口形貌发展过程示意图可以解释无硼钢断裂,不能完全解释含硼钢断裂过程.6.裂纹敏感性成分Pcm值表达式中,硼项系数为" 5"值得商榷.就本文钢材而言,硼项函数应为"负变数".本文对含硼钢延迟裂纹机理作了探讨. 相似文献
4.
本文用试验测定和理论计算表明,在多剖面法中利用复合试样测定焊接接头断裂韧性时,可测到的HAZ小区与板厚、试样厚度、线能量、预热温度及坡口角度等因素有关,并非总能测出全部小区的δ_(is)值.对提高测试精度的有关技术问题进行了探讨. 相似文献
5.
朱取成 《浙江万里学院学报》1992,(3)
本文研究了加稀土5%Mn钢的热处理、组织和机械性能,探索其部分代替9Ni钢使用于-196℃的可能性,并以同样成分的无稀土钢作为对比,研究稀土在该钢中的作用。 相似文献
6.
254SMo是Avesta公司研制的一种新型高含金纯奥氏体不锈钢,因其在酸性有腐蚀的介质和含Cl离子中具有优良的耐晶间腐蚀性能,同时具有优良的抗点蚀;缝隙腐蚀和应力腐蚀开裂的性能。在生产可发性聚苯乙烯工厂中,应用于脱盐水的生成(含Cl离子)及膨胀罐、空压罐等压力容器中。 相似文献
7.
8.
溶胶凝胶法制备三维规则排列大孔TiO2材料 总被引:9,自引:0,他引:9
以聚苯乙烯微球 (LatexSphere)离心后形成的三维规则排列的胶晶 (colloidcrystal)作模板 ,用钛酸丁酯、水、乙醇等配制的溶胶填充微球之间的间隙 ,然后原位形成凝胶 ,最后通过焙烧除去微球得到三维规则排列大孔TiO2 材料 (3DOM)。溶胶的浓度一般控制在 0 5~ 1 0md/L之间。焙烧过程的升温速度应控制在 5℃ /min以下。得到的样品表面可观察到五颜六色的彩光。从SEM照片可观察到 ,球形孔大小均匀 ,排列整齐 ,孔壁填充完全。孔径在 5 30nm左右 ,孔的排列呈面心立方结构 ,孔与孔之间由小孔窗相互交连。XRD表明孔壁含有锐钛矿和金红石两种晶型 ,2种晶型质量分数大约各占 5 0 %。 相似文献
9.
彭程 《西北民族学院学报》2003,24(1):34-35
文章研究利用体积比废聚苯乙烯泡沫塑料制备压敏胶液的工艺流程及粘度最大时的配料比和反应条件实验 实验表明 :反应温度 2 5℃ ,配料比废聚苯乙烯泡沫 (g)∶二甲苯 (ml)∶环己酮 (ml)∶乙酸乙酯 (ml)∶邻苯二甲酸二丁酯 (ml)为 10∶2 3∶2 7∶10∶5 ,搅拌反应时间 80分钟时 ,粘度在压敏胶液的粘度范围内 ,胶液的其他性能符合胶粘剂化学工业标准 ,而环己酮和邻苯二甲酸二丁酯用量较少 ,有利降低生产成本 相似文献
10.