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1.
中子束诊断技术在先进制造业、炸药、走私吕检查、医疗和其它工业中都得到了广泛的应用。在轰击能量低的情况下,产生高通量快中子的最佳核反应是^3H(d,n)^4He,即d-T反应。现在运用d-T反应的中子发生器的寿命受轰击是氚气从上逐渐释出的限制。本文是一篇研究限制氚束粒子取代氚束粒子取代氚,从而防止氚气释放造成中子产额减少的工作进展报告。可以预计,利用固定在高氢热扩散率基片上,如铌基础上的薄氚钛,  相似文献   
2.
激光引起金属靶层裂的实验研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
唐志平 《科学通报》1992,37(22):2100-2100
激光引起金属的层裂,目前国外只有少量文献有报道,并主要集中在铝、铜材料。由于脉冲强激光能产生10~7s~(-1)以上的超高应变率,它为在实验室内研究这样极端条件下的材料的断裂行为和机理,提供了几乎唯一的加载手段。本文简要报道我们在中国科技大学“华光”10~(10)W钕玻璃激光器上所做的铝和铁层裂实验的初步结果。这是我国首次利用强激光装置实现金属层裂的尝试,为强激光破坏效应的研究提供了现实的前景。  相似文献   
3.
首先对传统的圆平面磁控的形状进行改进,设计一个材利用率高的纯金.利用金合金的色区图,计算沉积不同K值和颜色的镀金膜时,组合式K金上金、银、铜的面积比,从而在纯金上固定相应面积的扇形银片和铜片,研制出不同K值和色度的组合式金合金.  相似文献   
4.
高速模拟钢质弹丸侵彻多层靶仿真   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
利用显式动力有限元程序对用37火炮发射的着速1300m/s左右钢弹侵彻大间隔多层A3薄钢板的过程进行了数值模拟,分析了弹速、弹重、弹形等影响因素对侵彻过程的作用规律,计算结果和实验结果得到了较好的吻合。研究表明,弹丸的比动能是衡量弹丸侵彻能力的重要参数,在一定的弹丸速度范围内,当弹材料和板结构固定时,弹丸的侵彻能力是由弹丸的比动能所决定的。  相似文献   
5.
不同气压背景下激光烧蚀Al靶的发射光谱   总被引:1,自引:0,他引:1  
满宝元 《科学通报》1997,42(9):997-1001
激光与物质的相互作用除了与激光的特性和材料的性能相关之外,还与背景有着密切的联系.不同的气氛对激光与物质的相互作用过程带来很大的影响.本文采用时间和空间分辨谱技术,对不同气压下激光辐照Al的等离子体羽发射过程进行了研究,测量了不同气压下出射粒子的飞行速度,对等离子体羽产生和膨胀的机制进行了讨论.1 实验由Q开关Nd:YAG激光器(Spectra quanta ray DCR-3)发出的1.06μm,10ns的脉冲激光经由3个棱镜组成的延迟光路之后,由石英透镜(f=6.3cm)会聚在真空室中的Al表面上,由激光器输出的Q开关同步脉冲信号通过快速脉冲延迟器延迟后,同时触发脉宽为5ns的快速脉冲发生器和光学多道分析仪(PARC OMAⅢ)的数据采集系统,快速脉冲发生器发出了-200V高压脉冲使OMA的光电探头选通5ns的曝光时间,从而可获得高分辨率的光谱信息,调节快速脉冲延迟器的时间延迟,可摄取不同时刻的时间分辨光谱.一组柱面透镜把距表面一定距离处的光谱成像在谱仪的狭缝上,经谱仪色散后被探头接收.然后送到OMA的数据采集系统进行数据采集和处理.样品Al经抛光后使用,其纯度为99.999%.  相似文献   
6.
高饱和磁化强度Fe16N2单晶薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
姜恩永   《科学通报》1996,41(4):370-373
尽管Fe_(16)N_2的结构早已为人们所知“‘,但对其研究的巨大兴趣则始于发现其奇异的高饱和 磁化强度(Bs一258 T严之后.制备高含量比川。的研究在块体和薄膜材料方面都很活跃l’ 4]. 然而,由于它是亚稳相,迄今只有日本Sllgita’领导的小组在半导体基片上制备出了Fe_(16)N_2单 晶薄膜,并验证了室温下其饱和磁化强度高达 29又大大超过 Slaterwaaling曲线.关于 卜;刀。是否具有如此高的饱和磁化强度值成为当个磁学理论界争论的一个热点风刁.作者曾详 细研究了溅射条件对氮化铁各相形成的影响闷,本文用溅射法制备出a‘’xe入单晶薄膜,井清 晰地观察到了沿[l叫和[110方向的电子衍射花样.磁性测量结果表明其饱和磁化强度值高 达 264~ 289 Wbha’.  相似文献   
7.
LiNbO_3陶瓷溅射靶材的制备工艺研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用改进的陶瓷烧结工艺,研究了用于射频磁控溅射工艺的大尺寸薄型LiNbO3陶瓷材的烧结工艺,解决了烧结过程中Li2O的外逸造成成分偏差和Li2O含量偏低时不易得到致密陶瓷的问题,探讨了Li2O在烧结过程中的作用,制备出了高强度的LiNbO3+Li2O系列陶瓷材.  相似文献   
8.
常温下用直流对磁控溅射的方法在玻璃基片上制备出了高电阻温度系数(TCR)氧化钒薄膜.通过设计正交试验,系统分析了Ar和O2的标准体积比、溅射功率、工作压强和热处理时间对氧化钒薄膜TCR的影响.对最佳工艺条件下制得的薄膜进行电阻温度特性测试,TCR达到-3.3%/K,室温方块电阻为28.5kΩ,个别样品的TCR达到-40%/K以上.扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)的形貌分析显示,这种制备方法结合适当的退火可以制备出氧化钒多晶薄膜,晶粒尺寸在纳米数量级.X射线光电子能谱(XPS)分析发现,高TCR薄膜样品中钒的总体价态接近+4价.所有结果表明,制得的氧化钒薄膜电性能满足红外探测器的要求,且该工艺能与CMOS工艺兼容.  相似文献   
9.
分子伴侣为一类与其他蛋白不稳定构象结合并使之稳定的蛋白质,广泛分布于各种生物体内。本文对分子伴侣的最新研究作一综述。  相似文献   
10.
带光学窗口的ICF低温冷冻靶用低温恒温器   总被引:1,自引:0,他引:1  
研制了一种热梯度法制备核聚变低温冷冻用低温恒温器,通过上下热连接杆使试样盒冷却,配合电加热器以及控温系统,使样品盒的平均温度可以控制在10-40K试验温度范围内,并实现均匀温度梯度。  相似文献   
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