全文获取类型
收费全文 | 152篇 |
免费 | 0篇 |
国内免费 | 14篇 |
专业分类
丛书文集 | 5篇 |
教育与普及 | 3篇 |
现状及发展 | 2篇 |
综合类 | 156篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2020年 | 1篇 |
2017年 | 1篇 |
2015年 | 5篇 |
2014年 | 3篇 |
2013年 | 5篇 |
2012年 | 7篇 |
2011年 | 4篇 |
2010年 | 2篇 |
2009年 | 7篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 3篇 |
2006年 | 1篇 |
2005年 | 1篇 |
2004年 | 6篇 |
2003年 | 1篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 4篇 |
1996年 | 14篇 |
1995年 | 10篇 |
1994年 | 10篇 |
1993年 | 10篇 |
1992年 | 6篇 |
1991年 | 13篇 |
1990年 | 10篇 |
1989年 | 16篇 |
1988年 | 7篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
排序方式: 共有166条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
用XeCl准分子激光器对a-Si:H薄膜进行了低能量密度下的辐照处理,测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化。研究表明,能量密度在75mJ/cm^2附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升高,这种电导率异常是膜表层形成了nmSi晶粒分散于a-Si:H基底中的混合相的反映。 相似文献
2.
3.
研究了有源层a-Si∶H的厚度对a-Si∶HTFT特性的影响.研究结果表明,a-Si∶H层的厚度对a-Si∶HTFT的静态特性(如开/关态电流比、阈值电压等)有较大的影响.理论分析表明,这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的.详细分析了背面空间电荷层对a-Si∶HTFT特性的影响,提出了一个a-Si∶HTFT有源层厚度优化设计的下限值,理论与实验相符合 相似文献
4.
5.
金属/非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布 总被引:1,自引:0,他引:1
唐元洪 《湖南大学学报(自然科学版)》1990,17(4):35-41
本文证明:在一定条件下,描述非晶硅隙态密度分布的三种基本函数,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算金属/非晶硅势垒低频电容时也是等价的.并通过测量室温时低频势垒电容,得到了隙态密度分布函数模型等价的标准. 相似文献
6.
用两种不同波长、不同功率的单色光作为激发光源,研究非晶硅PIN太阳能电池的光电特性,测试并计算了有关数据,发现在高功率强光照射下,PIN太阳电池光电转换呈现一种异常的现象,对此作了理论解释。 相似文献
7.
用电解方法在非晶硅中掺入了原子氢,使非晶硅中悬挂键的ESR信号明显下降,相应悬键密度由2.5×10 ̄(18)cm ̄(-3)下降为8×10 ̄(17)cm ̄(-3).并发现以H_3PO_4为电解液时,对作为阴极的非晶硅和P型单晶硅均有轻度的腐蚀作用,在H_2SO_4中电解,温度高达220℃,对硅也无腐蚀作用. 相似文献
8.
9.
本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Cr的非晶硅基薄膜a-Si_(1-x)Cr_x的变温电导特性。实验结果表明,x≤10at%的组分范围内,室温电导率由8.7×10-7增大到7.2×10-1Ω-1·cm-1;在290K到500K的范围内,薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和EF附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电,Cr3+离子在非晶薄膜中的存在形式,它对硅悬挂键的补偿以及掺Cr引人的结构无序是决定薄膜电导特性的主要因素。 相似文献
10.
本文根据a-Si材料的性能参数,计算了pin器件中的结电场分布ε(x)及其极小值ε_(min),求出在一定条件下的满足全收集的最佳(大)i层厚度,并在这个基础上较严格地计算了E_(g1)=1.9eV的a-Si:H和E_(g2)=1.5eV的a-Si:Ge:H两种材料的pin单结太阳电池及由它们组成的二重结器件的光伏特性,在条件相近的条件下,a-Si:Ge:H pin单结太阳电池的效率与Mitchell的实驻结果相当接近。我们的二重结计算结果与DMM在相近条件下估算的结果接近。 相似文献