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1.
中子束诊断技术在先进制造业、炸药、走私吕检查、医疗和其它工业中都得到了广泛的应用。在轰击能量低的情况下,产生高通量快中子的最佳核反应是^3H(d,n)^4He,即d-T反应。现在运用d-T反应的中子发生器的寿命受轰击是氚气从靶上逐渐释出的限制。本文是一篇研究限制氚束粒子取代氚束粒子取代氚,从而防止氚气释放造成中子产额减少的工作进展报告。可以预计,利用固定在高氢热扩散率基片上,如铌基础上的薄氚钛靶, 相似文献
2.
以0.1mol·dm-3的Zn(NO3)2水溶液为电解质溶液,以99.9%Zn片作阳极,采用方波脉冲电流法在氧化锡铟(ITO)导电玻璃基底上阴极电沉积,得到了透明的ZnO薄膜.采用X射线衍射分析、扫描电镜和荧光光谱技术,测试了薄膜的结构、表面形貌和光学特性.用同样方法在多孔硅衬底上电沉积ZnO薄膜,经过1000℃氧气氛下热处理1h,在紫外光照射下可发射强绿色荧光. 相似文献
3.
纳米结构V2O5薄膜的溶胶凝胶制备与特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶 -凝胶技术 ,以V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的V2 O5薄膜 .使用椭偏仪、X射线衍射仪(XRD)、红外分光光度计 (FTIR)、电化学分析、原子力显微镜 (AFM)等方法研究了V2 O5薄膜的特性 .实验结果表明 :薄膜具有纳米多孔结构 ;热处理使得薄膜致密 ,折射率提高 ,薄膜结晶 .红外吸收测量揭示了刚制备的薄膜中钒以 4价离子为主 ,高温热处理后形成 5价钒离子 ,相应出现了V2 O5特征吸收峰 .这种结构的薄膜具有很好的锂离子注入 /退出可逆性和很高的离子注入容量 ,可用作锂离子电池的高性能阴极材料 . 相似文献
4.
研究了熔融碳酸盐燃料电池(MCFC)阴极材料锂铁氧化物电极的导电性能。实验结果表明在合成锂铁氧化物的过程中,使Li2CO3轻微过量,可以提高锂铁氧化物电极的导电性。在同一温度下,随着Li:Fe值的增大,锂铁氧化物电极的导电性增加。相同Li:Fe条件下,锂铁氧化物电极的导电性随着温度升高按指数规律增加。扫描电镜研究(SEM)表明,Li:Fe比值不同,制备的锂铁氧化物电极表面形貌也不同。 相似文献
5.
不同气压背景下激光烧蚀Al靶的发射光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
激光与物质的相互作用除了与激光的特性和材料的性能相关之外,还与背景有着密切的联系.不同的气氛对激光与物质的相互作用过程带来很大的影响.本文采用时间和空间分辨谱技术,对不同气压下激光辐照Al靶的等离子体羽发射过程进行了研究,测量了不同气压下出射粒子的飞行速度,对等离子体羽产生和膨胀的机制进行了讨论.1 实验由Q开关Nd:YAG激光器(Spectra quanta ray DCR-3)发出的1.06μm,10ns的脉冲激光经由3个棱镜组成的延迟光路之后,由石英透镜(f=6.3cm)会聚在真空室中的Al靶表面上,由激光器输出的Q开关同步脉冲信号通过快速脉冲延迟器延迟后,同时触发脉宽为5ns的快速脉冲发生器和光学多道分析仪(PARC OMAⅢ)的数据采集系统,快速脉冲发生器发出了-200V高压脉冲使OMA的光电探头选通5ns的曝光时间,从而可获得高分辨率的光谱信息,调节快速脉冲延迟器的时间延迟,可摄取不同时刻的时间分辨光谱.一组柱面透镜把距靶表面一定距离处的光谱成像在谱仪的狭缝上,经谱仪色散后被探头接收.然后送到OMA的数据采集系统进行数据采集和处理.样品Al经抛光后使用,其纯度为99.999%. 相似文献
6.
高饱和磁化强度Fe16N2单晶薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
尽管Fe_(16)N_2的结构早已为人们所知“‘,但对其研究的巨大兴趣则始于发现其奇异的高饱和
磁化强度(Bs一258 T严之后.制备高含量比川。的研究在块体和薄膜材料方面都很活跃l’ 4].
然而,由于它是亚稳相,迄今只有日本Sllgita’领导的小组在半导体基片上制备出了Fe_(16)N_2单
晶薄膜,并验证了室温下其饱和磁化强度高达 29又大大超过 Slaterwaaling曲线.关于
卜;刀。是否具有如此高的饱和磁化强度值成为当个磁学理论界争论的一个热点风刁.作者曾详
细研究了溅射条件对氮化铁各相形成的影响闷,本文用溅射法制备出a‘’xe入单晶薄膜,井清
晰地观察到了沿[l叫和[110方向的电子衍射花样.磁性测量结果表明其饱和磁化强度值高
达 264~ 289 Wbha’. 相似文献
7.
氟化物熔体中电解共沉积硼化钛的阴极过程 总被引:6,自引:0,他引:6
采用循环伏安法首次研究了LiF-NaF-K2TiF6-KBF4熔盐体系中钛离子和硼离子在铂、钼电极上电化学还原及电合成硼化钛的阴极过程机理。对恒电位电解的沉积物进行了X射线衍射分析。结果表明,当体系中硼钛摩尔比B/Ti大于2时,钛与硼可在同一电位下实现电解共沉积并反应生成硼化钛。 相似文献
8.
LiNbO_3陶瓷溅射靶材的制备工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用改进的陶瓷烧结工艺,研究了用于射频磁控溅射工艺的大尺寸薄型LiNbO3陶瓷靶材的烧结工艺,解决了烧结过程中Li2O的外逸造成成分偏差和Li2O含量偏低时不易得到致密陶瓷的问题,探讨了Li2O在烧结过程中的作用,制备出了高强度的LiNbO3+Li2O系列陶瓷靶材. 相似文献
9.
乙醛酸与水杨醛在Cu—Hg阴极上的电解合成 总被引:1,自引:0,他引:1
选用便于操作的固态Cu-Hg合金作阴极,对草酸与水杨酸进行恒电位电解。电解电流效率均达到55.0 ̄60.0%。 相似文献
10.
本文首次报导应用简单工艺,在常压下制备CrO3-MoO3合成材料。对该材料的结构特征及电性能进行了测试和研究。结果表明,CrO3-MoO3是一种新型的阴极材料。它不仅具有良好的放电性能,而且与CrO3相比,它的毒性、腐蚀性和吸水性均大为降低,可直接作为固体电池的新阴极材料。 相似文献