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1.
ITO透明半导体膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80%以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。 相似文献
2.
等温平台石墨炉原子吸收光谱法测定高纯铟中痕量杂质铅和砷 总被引:2,自引:0,他引:2
利用石墨炉原子吸收法,在等温平台条件下利用标准加入法直接测定了高纯铟中的痕量杂质铅和砷.并对石墨炉加热程序中的干燥时问、灰化温度及原子化温度进行了优化,同时也考察了介质酸度的影响.本方法中铅和砷的特征质量分别为37.8pg和40.7pg,相对标准偏差平均值分别为2.8%和2.0%,加标回收率分别为85.6%~95.4%和97.3%~105.0%,是测定高纯铟中杂质铅和砷的一种简单、快速、准确的方法. 相似文献
3.
石油亚砜萃取铟的机理研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究表明,在盐酸介质中,石油亚砜萃取铟的机理与水相酸度有关。低酸度时,亚砜通过氧原子与InⅢ)配位生成萃合物InCl3,2PSO.H2O,高酸度时,亚砜则通过氧原子配位溶剂化,并与In(Ⅲ)反应生成离子缔合物[PSO→H]^+[InCl4.2PSO]^-。 相似文献
4.
研究了在硫酸介质中,非离子型表面活性剂PVA存在下,乙基罗丹明B络阳离子与InI4^-络阴离子所形成的离子缔合物分散在水相中,形成了胶束增溶显色体系,缔合物的最大吸收波长位于602nm处,方法的表观摩尔吸光系数为ε’602=1.58×10^5L·mol^-1·cm^-1,铟含量在0-11μg/10mL范围内服从比尔定律,用于碱性无汞电池样品中铟的测定,相对标准偏差为1.9%(n=4),加标回收率为95%-107%,比对实验结果吻合. 相似文献
5.
Ga1—xInxAs1—ySby四元合金系光学性质的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以对GaSb为衬底、外延生长的四元化合物Ga1-xInxAs1-ySby(组分在x=0.032,y=0.94到x=0.26,y-0.9范围内)进行了远红外反射谱、喇曼散射、光吸收和光致发光的测量。结果给出外延层晶格振动的性质及不同温度下(83K-300K)四元合金的能隙,并详细讨论了能隙随温度的变化。 相似文献
6.
以HCl、HNO3、HF、HClO4溶解样品,釆用火焰原子吸收分光光度法测定尾砂矿中的铟含量,对仪器的工作条件和反应条件进行了选择和优化。该方法线性范围为0~10μg.ml-1,线性方程y=0.001809+0.01497x,相关系数为0.9994,检出限0.090μg.ml-1,RSD=1.39%,回收率96.0%~106.0%。该方法操作简便,准确度和精密度能够满足分析要求。 相似文献
7.
周德海 《四川大学学报(自然科学版)》1994,(2)
用HDEHP并以正庚烷为稀释剂从存在大量的Ag(Ⅰ)和Cu(Ⅱ)的硝酸溶液中萃取In(Ⅲ)。研究了In(Ⅲ)在两相之间的分配比与酸度、HDEHP浓度及In(Ⅲ)含量的关系。用不同浓度的盐酸从有机相中反萃取In(Ⅲ),并测量了In(Ⅲ)的回收率。从回旋加速器内靶装置上,用α粒子辐照的镀银靶物质中,分离出高纯度、无载体的 ̄(111)In,并制成了 ̄(111)InCl_3注射液。 相似文献
8.
文题的最佳工艺条件为:25%TBP-10%癸醇-65%煤油,3mol/LHCl,20~30℃。负载有机相中的杂质离子Zn~(2+),Cu~(2+),In~(3+),Pb~(2+)用约5mol/L盐酸洗涤除去。负载有机相中的Sn~(4+)用0.24mol/L HCl反萃。萃取及反萃取的理论级数分别为2和7级。 相似文献
9.
本文介绍了在0.09mol/L NH_3·H_20—0.21mol/L NH_4Cl介质中,当有8×10~(-5)mlo/L PAR存在时,In~(3+)在—0.85V(vs.S·C·E·)处产生一灵敏的络合吸附波,其线性范围为0.1~0.8μg/ml。对这一络合吸附波的性质进行了研究,并测定了该络合物的组成。利用In—PAR络合吸附的极谱行为进行了纯铅中微量铟的加入回收实验,测定了合成样品中的微量铟。 相似文献
10.
ITO纳米粉制备及表面修饰研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为原料,采用共沉淀法制备ITO纳米粉,并对其进行表面修饰.辅助TG-DSC、FT-IR、XRD、SEM、EDS和TEM等测试方法,研究确定了适宜的制备和表面修饰工艺条件.结果表明所制ITO纳米粉具有立方晶系结构、颗粒均匀、分散性良好、与基体相容、平均粒径为20nm左右. 相似文献