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1.
采用密度泛函理论(DFT)研究扭曲状石墨烯C80H30的本征结构以及边缘位置掺B、中间位置掺B、边缘位置掺N、中间位置掺N等5种量子点的电子结构和光学性质,并与平面状石墨烯结构对比分析.结果表明,扭曲状GQDs未掺杂前能隙宽度为2. 014 e V,在紫外波段强烈吸收,615. 7 nm绿色波段发光,掺入电子受体B后HOMO能级和LUMO能级均升高,掺入给电子体N后HOMO能阶和LUMO能阶均出现降低,2种原子的掺入都会导致能隙宽度变窄,在红色波段发光,掺杂原子及位置不同均会对吸收光谱产生影响.类比于平面状GQDs,扭曲状GQDs的能隙宽度均变宽,吸收峰整体表现出往短波方向移动,发射光谱出现不同程度的蓝移.  相似文献   
2.
设计了一种具有电介质-电介质-电介质(DDD)三层结构的超窄带吸收器,该结构顶层和中层电介质被石墨烯条带和金属图层隔开.模拟结果表明,该吸收体在51.8 THz附近具有高的吸收率,石墨烯条的费米能从0eV改变为0.8eV,吸收率将从80%降到40%,并且吸收带宽从8.99nm变化到6.07nm.根据频谱操纵机制,可以通过改变各电介质层的厚度来调节共振频率和吸收带宽.此外,吸收体共振频率随入射角变化.研究结果在光学滤波器和生物化学传感方面提供潜在的应用.  相似文献   
3.
In this paper,the new development of three basic theories of Extenics,incluing basic-element theory,extension set theory and extension logic theory ,has been introduced.And the new theoretical frame of Extenics has also been set forth.  相似文献   
4.
5.
在形状记忆合金中,存在马氏体穿晶生长现象,它是热弹马氏体相变在小角晶界的行为。  相似文献   
6.
《科技潮》2007,(9):4-4
日前,美国总统布什在白宫为过去两年间在科技领域取得突破性进展的科学家颁发美国国家科学奖章与国家技术奖章。美籍华裔著名材料科学家、美国朗讯科技公司贝尔实验室半导体研究室主任卓以和,因对分子束外延技术和高级电子光子设备发展所做的贡献而获奖。  相似文献   
7.
徐卫东 《甘肃科技》2023,(6):33-35+39
ASM2000半导体外延设备,作为世界上硅外延材料领域的主流设备,在硅片传递过程中,以“正面、非接触式”模式,可较好地避免硅片表面缺陷的产生。在这种传递模式下,偶有硅片掉落现象发生,故障产生原因较多,造成问题处理效率低下、复机验证流程繁琐等现象。为提高机械手装取片故障处理的效率及成功率,文章将从硅片传递的工作原理开始分析,总结导致硅片掉落的可能原因,以供故障排查所用。  相似文献   
8.
相对于max型表现外延,给出min型表现外延的定义,利用min型表现外延构造了概念关于因素的min型反馈外延.研究了min型反馈外延与概念外延以及复杂因素min型反馈外延与简单因素min型反馈外延之间的关系,得到了与min型反馈外延相关的一些重要性质.定义了min型反馈外延外包络,给出一种从概念外延"内部"对概念外延进行逼近的方法.  相似文献   
9.
生物多样性与生态系统功能:内涵与外延   总被引:3,自引:0,他引:3  
从不同层次探讨了生物多样性和生态系统功能的内涵与外延,在此基础上提出了进行生物多样性和生态系统功能研究的启示.  相似文献   
10.
MOCVD 生长的动力学模式探讨   总被引:4,自引:0,他引:4  
讨论金属有机化合物气相沉积(MOCVD)方式生长晶体的一种动力学解释.应用分子动力学、化学反应动力学等推导出MOCVD反应过程中晶体生长速度—原材料输运速度有关的公式,并应用这个公式进行了计算,计算结果与实际生长时的参数接近.  相似文献   
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