四硝基酞菁合钴化学修饰电极的制备及对氧的电催化还原

合成了4,4′,4″,4″′—四硝基酞菁合钴(Ⅱ),并进行了表征,用不可逆吸附法制备了该化合物为修饰物的化学修饰电极,以光电子能谱法进行了表面表征。并研究了分子氧在该化学修饰电极上的电化学行为,发现该化学修饰电极对氧的还原有明显的电催化作用。     

过渡金属酞菁配合物化学修饰电极的研究 Ⅰ.对草酸的电催化氧化

用不可逆吸附法首次制备了Co(Ⅱ)的3,3′,3″,3′″—四硝基酞菁配合物化学修饰电极(CoL CME),用循环伏安法研究了它的电化学性质和电催化功能,与未修饰玻碳电极相比,草酸在CoL CME上的氧化峰电位至少负移300mV,峰电流显著增大,表现出对草酸氧化具有明显的电催化作用,并发现草酸的电催化氧化峰电流与其浓度之间有很好的线性关系。     

酞菁铯及其磺化衍生物的合成与性质

合成出酞菁铯及其磺化衍生物,并以元素分析、紫外可见光谱与红外光谱等方法作出表征,推定产物是一种含配位水的金属铯配合物,同时测定它们的溶解性及光电性质．     

掺Er^3＋／Yb^3＋光纤激光的理论分析

提出了光纤腔掺Ｅｒ＾３＋／Ｙｂ＾３＋光纤激光的模型和速率方程,推导了阈值泵浦功率的解析公式,运用数值求解方法,得以了光纤中反转粒子数分布,小信号增益系数和激光的输出功率,同时也给出了数值曲线,可用于掺Ｅｒ＾３＋／Ｙｂ＾３＋光纤激光器的优化设计。     

OH-根对掺铒碲酸盐玻璃光谱性质的影响

制备了5种浓度下系列不同OH^-根含量的掺铒碲酸盐玻璃样品，测试了样品的红外吸收光谱，分析了在不同通氧除水时间下玻璃的红外吸收系数变化情况．测试了样品的吸收光谱，利用Judd-Ofelt理论计算了不同铒掺杂浓度和OH^-根含量样品的光谱参量Ωi（i=2，4，6）．根据McCumber理论计算了铒离子在1532nm处的吸收截面和Er^3＋：^4I13／2→^4I15/2跃迁峰值发射截面．测试了样品中Er^3＋：^4I13／2→^4I15/2跃迁对应的荧光光谱和^4I13／2能级荧光寿命，讨论了OH^-根对不同铒掺杂浓度下碲酸盐玻璃光谱性质的影响．研究结果表明，OH^-根仅对荧光寿命和荧光峰值强度存在影响，在Er2O3浓度小于1．0mol％时，OH^-根是发生荧光猝灭的主要影响因素，而高于这一浓度后Er^3＋离子本身的能量转移对荧光猝灭起主要作用．而OH^-根对其他光谱性质（荧光半高宽、吸收光谱、受激发射截面等）基本没有影响．     

一种两亲性酞菁的合成及其光谱研究

用硅胶负载法合成了一种两亲性不对称取代酞菁三-α-(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)-β-(4’-羧基苯氧基)酞菁铜.紫外可见吸收光谱的研究表明,与脂溶性的四-α-(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)酞菁铜相比,该两亲性酞菁的最大吸收波长和吸收带的形状受溶剂的影响更大,在水中其聚集态可以被阳离子表面活性剂解聚,而受阴离子表面活性剂的影响不大.     

一种制备MPc/金属氧化物纳米复合材料的新方法

以超临界流体干燥(SCFD)制备的氧化铁气凝胶纳米粒子的表面活性Fe离子为模板,邻苯二腈为酞菁起始物,在氧化铁纳米颗粒表面原位组装生成酞菁/氧化铁纳米复合材料.研究表明,与普通浸渍法相比,该方法制得的酞菁铁与氧化铁颗粒之间存在化学键合作用.     

基于光纤布喇格光栅调谐的增益控制掺铒光纤放大器

在掺铒光纤放大器的输人端和输出端分别接入一个波长相同的光纤布喇格光栅，利用简支梁波长调谐的方法调节两布喇格光栅波长的间距，在一定范围内，实现了增益大小可调的增益控制．在增益控制范围内，EDFA的增益控制在0．4dB之内。